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AGM2N200E
●GeneralDescription
TheAGM2N200EcombinesadvancedtrenchProductSummary
MOSFETtechnologywithalowresistancepackageto
provideextremelylowRDS(ON).
BVDSSRDSONID
Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery
200V505mΩ2.3A
protectionapplications.
Confiuration
●FeaturesSOT23-3Ping
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■%
100Avalanchetest
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
nd
■SMPS2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
2N200AGM2N200ESOT23-3178mm8mm3000
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V）200V
VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V
DrainCurrent-Continuous(TA=25℃)(Note1)2.3A
ID
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