AGM2N200E SOT23-3 VER2.61深圳恒锐丰科技.pdf

AGM2N200E SOT23-3 VER2.61深圳恒锐丰科技.pdf

  1. 1、本文档共7页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多

AGM2N200E

●GeneralDescription

TheAGM2N200EcombinesadvancedtrenchProductSummary

MOSFETtechnologywithalowresistancepackageto

provideextremelylowRDS(ON).

BVDSSRDSONID

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

200V505mΩ2.3A

protectionapplications.

Confiuration

●FeaturesSOT23-3Ping

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■%

100Avalanchetest

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

nd

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

2N200AGM2N200ESOT23-3178mm8mm3000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)200V

VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V

DrainCurrent-Continuous(TA=25℃)(Note1)2.3A

ID

文档评论(0)

电源芯片+MOS管 李生 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档