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模拟电子技术复习试题二

一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)

请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。

1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成_________电流，由外加电场引起载流

子运动形成_________电流。

2.温度升高时，晶体二极管的I将_________，V将_________。

sD(on)

3.晶体三极管工作在截止模式下的外部条件是发射结和_________结均为_________偏置。

4.N沟道MOSFET中，为保证器件正常工作，_________极应接在电位的最低点，而P沟道

的MOSFET，则该电极应接在电位的_________。

5.P沟道EMOS管工作在饱和区的条件是_________和_________。

6.放大器的失真根据其产生的机理不同可分为_________失真和_________失真两大类。

7.电流源电路的主要参数是_________和_________。

8.反馈元件并接到输入信号源两端的为_________反馈，否则为_________反馈。

9.负反馈放大电路自激的幅度条件是_________，相位条件是_________。

10.满足理想化条件的集成运放应具有无限大的差模输入电阻、趋于零的_________电阻、无

限大的差模电压增益和_________抑制比、无限大的频带宽度以及趋于零的失调和漂移。

二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的

括号内。错选、多选或未选均无分。

1.杂质半导体中多数载流子浓度()

A.只与温度有关B.取决于掺杂浓度，几乎与温度无关

C.与温度无关D.与掺杂浓度和温度都无关

2.一个硅二极管在正向电压V=0.6V时，正向电流I为10mA，若V增大到0.66V(即增加

DDD

10%)，则电流I()

D

A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)

C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)

3.某晶体三极管的I为10μA，I为1mA，I为0.1mA则该管的β值为()

BCCEO

A.100B.110

C.90D.80

4.已知某三极管V=0.7V，V=3V，则该管工作在_________区。()

BECE

A.放大B.饱和

C.截止D.击穿

5.判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量()

A.IB.V

BCE

C.VD.I

BEC

6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的()

A.非饱和区