第4讲-第1章-晶体三极管(2).ppt

第四讲晶体管的特性曲线1.3.3晶体管的共射特性曲线1.3.4晶体管的主要参数1.3.5温度对晶体管特性和参数的影响1.3.6光电三极管*PNP型三极管*第一章半导体器件1.3晶体三极管*1.3.3晶体管的共射特性曲线图：三极管共射特性曲线测试电路输入特性：输出特性：VBBVCC1.输入特性图：三极管的输入特性(1)UCE=0V，类似PN结正向特性（2）UCE0，曲线右移（3）UCE1V,曲线重合IBUB1UB2c、e短路，Je与Jc正向并联Jc－—层变厚、基区变窄；Jc收集能力增强基区复合减弱，相同UBE时IB减小。此时Jc电场足够强，b区绝大部分ne已被收集，UCE再增大IC不可能明显增加，IB基本不变。2.输出特性图：三极管的输出特性◆每条曲线（IB取某一值）上升部分(UCE较小)：IC∝UCE水平部分(UCE1V):IC∝IB◆IB取不同值——曲线簇：截止区：IB=0、IC≤ICEO≈0放大区：△IC=β△IB（模电）饱和区：UCE1V，IC∝UCE△IC≠β△IB▲输出特性分析*β是常数吗？什么情况下?(1)截止区：ＩＢ≤０的区域特征：IＣ=βIB+ICEO=ICEO≈0，UCE≈VCC三极管无放大作用截止条件：Je电压Uon、Jc反向运用NPN管：UBE＜Uon、UCE＞UBE(UBC＜0)放大区（线性区）：曲线趋于水平的区域。特征：ΔIC＝βΔIＢ,1V＜UCE＜VCC电流放大作用放大条件：Je正向运用，Jc反向运用。NPN管：UBE≥0.7V、UBC＜0(3)饱和区：靠近纵轴附近区域，各条曲线的上升部分。特征：UCE1V，IC∝UCE△IC≠β△IB；IC基本上不随基极电流IB而变化，三极管失去放大作用。饱和条件：Je、Jc均正向偏置，NPN管：ＵＢＥ≥0.7V，ＵＢＣ＞０。关于饱和诠释：当VCC、Rc一定，UBEIBICUCEJc收集当ＵCE＝ＵBE,即ＵCB＝０——临界饱和：可认为ICS=βIBS仍成立、UCES=0.7VIBS=ICS/β=(VCC-UCES)/βRcICUCEIBVCCRbVBBcbeRCUBE当ＵCE＜ＵBE(UCB＜0)——过饱和:小功率管UCES=0.3V。例:已知T导通时UBE=0.7V,β=50,分析VBB为0V、1V、3V情况下T的工作状态及输出电压UCE。T1.3.4三极管的主要参数(2)共射交流电流放大系数：(1)共射直流电流放大系数：1.电流放大系数(性能指标)ICIB(3)共基直流电流放大系数：(忽略ＩCBO)(4)共基交流电流放大系数：2.极间反向电流(直流参数)——质量指标图三极管极间反向电流的测量ICBO——集电结反向饱和电流，小好。硅管1μA，锗管几～几十μAICEO=（1+β)ICBO——反向穿透电流，小好。3.极限参数——安全指标(1)集电极最大允许电流ＩＣＭ。图：β与IC关系曲线IC过大，β减小；当β=(2/3～1/3)β额——ICM(2)最大集电极功率损耗ＰＣＭ图:三极管的安全工作区过压区过流区安全工作区c-e间击穿电压=常数(与散热条件有关)(4)反向击穿电压ＢＵCBO——发射极开路时,集-基极间的反向击穿电压。ＢＵCEO——基极开路,集-射极间的反向击穿电压。ＢＵCER——基射极间接有Ｒ时,集-射极间反向击穿电压。ＢＵCES——基射极间短路时,集-射极间的反向击穿电压。ＢＵEBO——集电极开路时,发射极-基极间的反向击穿电压.此电压一般较小,仅有几伏左右。上述电压一般存在如下关系：1.3.5温度对晶体管特性和参数的影响1倍/(8～1