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摘要
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Al掺杂β-Ga2O3能带结构的第一性原理分析
摘要
β-Ga2O3是Ga2O3最稳定的相，禁带宽度大（4.9eV），击穿场强高，介电常数大，在可见光和紫外光波段透过率高，可运用于日盲紫外光电探测器、场效应晶体管、透明导电电极等。本征β-Ga2O3通常表现为n型导电，高温稳定，低能量损耗。可惜β-Ga2O3的导电性能差，可以通过掺杂来改变β－Ga2O3的能带结构，从而获得更优异的性能。有不少实验团队采用了Sn和Si掺杂[1]，效果不甚理想。本文尝试采用Al掺杂，当Al掺杂量发生变化时β-AlxGa2-xO3的能带结构也会随之发生改变，并进一步通
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