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n將兩者距離維持在數埃至數十埃間，使探針尖端原子團與樣品表面的量子穿隧電流保持定，而測得表面結構形狀，具有原子解析度。n非導體上操作
穿隧電流
就是指粒子可穿過比本身總能高的能量障礙。穿隧的機率和距離有關，距離愈近，穿隧的機率愈大。當兩個電極，相距在幾個原子大小的範圍時，電子能從一極穿隧到另一極，穿隧的機率和兩極的間距成指數反比的關係。
設定穿隧電流，即鎖定探針和樣品表面之間距直接以穿隧電流來呈像
探針的高度變化穿隧電流的變化偏壓調變
它已經在製作單分子、單原子和單電子器件，大幅度提高資訊儲存量，生命科學中的物種再造，以及材料科學中的新原子結構材料的創製等領域單原子的移動、提取和放置
量測原子間凡得瓦為導力為主體及表面必須平整
四象限光檢測雷射二極懸臂樑n
針尖與樣品表面輕輕接觸，原子間生極微弱的排斥力，使探針偏移但過大的作用力會損壞樣品不過，較大的作用力，通常會得到較佳的解析度利用原子間遠距吸引力─凡得瓦力來進行檢測，沒有被損壞的顧慮但受空氣中樣品表面水膜的影響，其解析度一般只有50nm，以探針振盪方式，探針在試片上跳動，破壞樣品的機率大為降低但由於高頻率探針敲擊，對很硬的樣品，探針針尖可能受損，
n表面接觸表面摩擦力表面高低起伏造成
lefttoright
原子力顯微鏡相同針及掃出影像的作用力為磁力梯度變化。針磁性樣品表面間的磁作用力來感應磁力梯度之變化磁性探磁性探
非接觸式原子力顯微鏡利用輕敲式原子力顯微術的成像原理(H)
MFM與一般電子顯微鏡比較
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