半导体物理与器件_常熟理工学院中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年.pdfVIP

半导体物理与器件_常熟理工学院中国大学mooc课后章节答案期末考

试题库2023年

1.半导体的四类产品中，规模最大的是（）

答案:

集成电路

2.（）是联系微观粒子波粒二象性的桥梁

答案:

普朗克常数

3.考虑一种面心立方单晶材料，其晶格常数为a，则该晶体的原子体浓度为（）

答案:

4.闪锌矿结构包含几种原子（）

答案:

2

5.布洛赫定理是描述（）中电子的运动行为？

答案:

晶体

6.以下关于半导体能带特征描述正确的是（）

答案:

室温下，硅的禁带宽度约为1.12eV，是间接带隙半导体

7.关于施主掺杂，下列说法不正确的是（）

答案:

施主杂质是一种间隙式杂质

8.半导体晶体导带底附近的量子态密度与能量之间符合什么关系（）

答案:

抛物线

9.时，空穴占据量子态的概率（）。

答案:

50%

10.对于给定的半导体，随着温度升高，本征载流子的浓度（）

答案:

增大

11.掺杂浓度相同时，下列半导体器件极限工作温度大小关系正确的是（）

答案:

砷化镓硅锗

12.电离杂质散射概率与温度关系正确的是（）

答案:

13.有效复合中心的能级通常都靠近（）

答案:

14.已知半导体的费米能级位于禁带内，且距离导带底约1/3禁带宽度，则平

衡电子浓度和空穴浓度的大小关系约为（）

答案:

15.小注入条件下，对于n型半导体的直接复合，若电子-空穴复合概率为，

则非平衡载流子的寿命为（）

答案:

16.若浓度为的复合中心掺入本征硅，设其能级位于禁带中央，且电子和空

穴的俘获系数分别为和，则小注入寿命为

答案:

17.假设掺杂浓度为的p型Si，其少子扩散长度约为1mm，那么，

当掺杂浓度为时，其少子扩散长度可能为（）

答案:

2

18.施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为的合金结，可

以表示为（）

答案:

，突变结

19.下列哪个条件不是理想pn结模型的假设条件（）

答案:

耗尽层有载流子的产生与复合

20.实际处于反偏状态下的pn结，其载流子的产生率与复合率之间的关系为（）

答案:

产生率大于复合率

21.pn结雪崩击穿的的机理是（）

答案:

载流子的倍增效应

22.室温下，下列哪个硅半导体的功函数最大（）

答案:

硼掺杂浓度为

23.考虑理想的金属半导体接触，若金属的功函数为4eV，则下列哪种n型半

导体可以与之形成反阻挡层（）

答案:

功函数为4.2eV的半导体

24.下列哪个结构的金半接触可以形成欧姆接触（）

答案:

金属-

25.已知一半导体异质结为，说明（）

答案:

A为p型窄禁带半导体，B为n型宽禁带半导体

26.若半导体的禁带宽度为3eV，下面哪种光可以产生本征吸收（）

答案:

波长为300的光

27.半导体LED是工作于（）下的发光的二极管

答案:

正向偏压

28.pn结型太阳能电池的工作原理是（）

答案:

光生伏特效应

29.为了减少固定电荷密度和快界面态的影响，制作MOS器件通常选择硅单晶

的方向为（）

答案:

[100]

30.MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）

答案:

钠离子

31.关于半导体硅晶