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半导体基础知识;一、本征半导体;2024/9/15;2024/9/15;2024/9/15;2024/9/15;N型半导体

掺入+5价元素：磷（P）；（砷As，锑Sb）

最外层有5个价电子，4个用于与半导体原子构成共价键，多余1个价电子成为自由电子。杂质离子为施主杂质正离子

多数载流子——自由电子

少数载流子——空穴

;2024/9/15;P型半导体

掺入+3价元素：硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）和铟（In）

最外层有3个价电子，3个用于与半导体原子构成共价键，缺少1个价电子成为空穴。杂质离子为受主杂质负离子

多数载流子——空穴

少数载流子——自由电子

;杂质半导体导电性小结;PN结;;PN结是由于两种不同的半导体之间载流子物理作用的结果;二、PN结的单向导电性;反偏：P接－，N接＋

在外电场的作用下，空间电荷区变宽，不能形成大电流。从外部看，PN结呈现非常大的电阻。;PN结的重要特性：;三、PN结的电容效应;二极管;二极管的组成;点接触型

允许电流小，结电容小

面接触型

允许电流大，结电容大

平面型

结面积可大可小，小的电流小频率高，大的电流大频率低

材料

Si硅、Ge锗

符号;二、二极管的伏安特性;22;23;24;2、V_A特性的特点;三、主要参数;四、二极管的等效电路及应用电路分析;28;29;30;31;五、稳压二极管;2、主要参数;34;35;36;六、其他二极管;双极型晶体管(BJT)—三极管;;一、结构及类型;二、三极管基本工作原理—电流分配关系;二、三极管基本工作原理—电流分配关系;2、载流子运动;3、电流分配关系;3、电流分配关系;4、电流的放大作用;二、特性曲线;48;2、输出特性曲线;①截止区;②放大区;③饱和区;三、主要参数;常用三极管;四、温度的影响;五、三极管判别;;场效应管（FET）;写在前面的话;一、沟道;二、增强型场效应管（MOSFET）;条件

内部条件：工艺结构→买厂家生产的器件

外部条件：外加电源形成工作电路(偏置)

加控制电压uGS，控制沟道

加VDD和限流电阻形成工作电流，并让寄生二极管反偏;3、基本原理;三、其他种类的场效应管——耗尽型MOS管;结型管也是耗尽型的，与耗尽型MOS管类似。也存在UGS(off)。;四、MOS管特性曲线—增强型MOSFET为例;67;68;69;70;;

直流参数

UGS(th),UGS(off)

IDO,IDSS

交流参数

低频夸导gm

极限参数

IDM,PDM,U(BR)DS;73;知识点小结;基本放大电路;一、放大的概念及性能指标;3、放大电路的指标;②输入电阻

输入端口处的戴维南等效电阻。

输入电阻越大，电路从信号源获得的输入电压越高;③输出电阻

输出端口处的戴维南等效电阻。

输出电阻越小，负载电阻变化对输出电压的影响越小;80;二、基本共射放大电路;2、正常放大（不失真）的组成原则;3、基本工作原理;放大电路的分析方法;简述;一、直流通路与交流通路;2、交流通路→交流分量（变化量）流过的电路

耦合电容，旁路电容短路（对信号容抗约为0）

直流电源短路，外加信号源不为零（us≠0）;3、叠加关系

直流量：（静态量）大写字母，大写下标

交流量（变化量）：小写字母，小写下标

总量：小写字母，大写下标（实际电路的瞬时值）

正弦有效值表示交流量：大写字母，小写下标;模板;90;91;二、图解法—多用于定性分析;输出回路

;电路参数对Q点的影响

Rb改变：

Rc改变:

电源变化:

;2、动态分析——在直流基础上叠加变化量分析;输出回路

负载电阻RL＝∞时→交流负载线与直流负载线重合;负载电阻RL≠∞时

交流负载线;失真分析——截止失真;饱和失真;100;基本放大电路;引语：定量分析;一、静态工作点的近似计算法—定量分析法;在近似计算时如何判定晶体管的工作状态呢？;二、动态分析—微变等效电路法（h参数）;106;107;rbe通过PN结方程确定：;2、共射电路的动态分析;微变等效电路法分析估算交流参数;111;112;113;114;115;116;117;118;第二章基本放大电路;2024/9/15;四、静态工作点稳定电路;122;123;静态分析（直流通路）

∵IBQ≈0

∴基极的电位：

∴e极及c极电流：;Q点稳定的原理

T↗ICQ、IEQ↗URe（VEQ）↗

∵VB不变，UBEQ↘IBQ↘

∴ICQ↘

∴ICQ稳定不变;动态分析

画交流通路→等效电路

C1、C2耦合电容→短路

Ce旁路电容→短路

Vcc短路;127;128;129;130;2、共集电极放大电路;2、共集电极放大电路;3）动态分析;3）动态分析;输入电阻（向后看）→与负载电阻有关

输出电阻（向前看）→与信号