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传感器技术与测量期末复习题及答案详解--第1页

《传感器技术与测量》综合练习1

一、填空题

1．采用热电阻作为测量温度的元件是将的测量转换为的测

量。

2．利用电涡流式传感器测量位移时，只有在线圈与被测物的距离大大小于线圈半径时，才

能得到较好的和较高的度。

3．电位器是一种将机械转换成电阻或电压的机电传感元件。

4．电阻应变片的初始电阻R0是指应变片未粘贴时，在室温下测得得的

电阻。

5．用石英晶体制作的压电式传感器中，晶面上产生的与作用在晶面

上的成正比，而与晶片厚度和面积无关。

6．热敏电阻正是利用半导体的数目随温度变化而变化的特性制成的敏感元件。

7．电阻应变片是将机械构件上的微小转换成电阻变化的传感元件，谐振传感器中的传感

元件是将转换成的元件。

8．磁敏二极管和三极管具有比霍尔元件高数百甚至数千的，适

于的测量。

9．正温度系数剧变型和临界温度型热敏电阻不能用于温度范围的温度控制，而在某一温

度范围内的温度控制中确是十分优良的。

10．单线圈螺线管式电感传感器对比闭磁路变隙式电感传感器的优点很多，缺点是低，它

广泛用于测量。

11．所谓光栅，从它的功能上看，就是刻线间距很小的。

二、选择题

1．目前，我国生产的铂热电阻，其初始值有（）．

A．30B.50

C.100D.40

2．电容式传感器测量固体或液体物位时，应该选用（）。

A．变间隙式B．变面积式

C．变介电常数式D．空气介质变间隙式

3．振弦式传感器中，把被测量转换成频率的关键部件是（）。

A.激励器B.拾振器

C．永久磁铁D.振弦

4．在光线作用下，半导体电导率增加的现象属于（）。

A．外光电效应B．内光电效应

C．光电发射

5．霍尔效应中，霍尔电势与（）。

A．激磁电流成正比B．激磁电流成反比

C．磁感应强度成正比D．磁感应强度成反比

6．通常用差动变压器传感器测量（）。

A.位移B.振动

C.加速度D.厚度

三、简述

简述光敏电阻的工作原理。

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光敏电阻上可以加电压，也可以加电压。加上电压后，无