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1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)
2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子
3.Acid：酸
4.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号
放大）
5.Alignmark(key)：对位标记
6.Alloy：合金
7.Aluminum：铝
8.Ammonia：氨水
9.Ammoniumfluoride：NH4F
10.Ammoniumhydroxide：NH4OH
11.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
12.Analog：模拟的
13.Angstrom：A（1E-10m）埃
14.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）
15.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样
下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要
求一定时间后的失效率）
16.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的
光刻）
17.Argon(Ar)氩
18.Arsenic(As)砷
19.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷
20.Arsine(AsH3)
21.Asher：去胶机
22.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）
23.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发
到环境中后，又回掺到外延层）
24.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）
25.Baseline：标准流程
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26.Benchmark：基准
27.Bipolar：双极
28.Boat：扩散用（石英）舟
29.CD：（CriticalDimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常
指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。
30.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺
所有特性的一个方形区域。
31.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化学机械抛光法。一种
去掉圆片表面某种物质的方法。
32.Chemicalvapordeposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过
化学反应生成一层薄膜的工艺。
33.Chip：碎片或芯片。
34.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机
控制和监控制造工艺的一种综合方式。
35.Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一
定功能的技术。
36.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特
殊要求的特定区域。
37.Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质
或向N型掺入受主杂质。
38.CMOS：complementarymetaloxidesemic
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