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专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》

一、（共75题,共150分）

1.GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每

（）个月翻一番（2分）

A.12

B.18

C.20

D.24

.标准答案：B

2.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。

（2分）

A.体

B.衬偏

C.沟长调制

D.亚阈值导通

.标准答案：C

3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）

区。（2分）

A.亚阈值区

B.深三极管区

C.三极管区

D.饱和区

.标准答案：D

4.MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。

（2分）

A.夹断

B.反型

C.导电

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D.耗尽

.标准答案：A

5.（）表征了MOS器件的灵敏度。（2分）

A.

B.

C.

D.

.标准答案：C

6.Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。

（2分）

A.

B.

C.

D.

.标准答案：B

7.基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。（2分）

A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值

B.负载不匹配

C.输入MOS不匹配

D.电路制造中的误差

.标准答案：C8.下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益

（）。（2分）

A.二极管负载差分放大器

B.电流源负载差分放大器

C.有源电流镜差分放大器

D.Cascode负载Casocde差分放大器

.标准答案：C

9.镜像电流源一般要求相同的（）。（2分）

A.制造工艺

B.器件宽长比

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C.器件宽度W

D.器件长度L

.标准答案：D

10.某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格

相等，

应取为（）。（2分）

A.

B.

C.

D.

.标准答案：A