COMSIC制造工艺流程课件.pptVIP

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COMSIC製造工藝流程CMOS工藝流程中的主要製造步驟Figure9.1Oxidation(Fieldoxide)SiliconsubstrateSilicondioxideoxygenPhotoresistDevelopoxidePhotoresistCoatingphotoresistMask-WaferAlignmentandExposureMaskUVlightExposedPhotoresistexposedphotoresistGSDActiveRegionstopnitrideSDGsiliconnitrideNitrideDepositionContactholesSDGContactEtchIonImplantationresistoxDGScanningionbeamSMetalDepositionandEtchdrainSDGMetalcontactsPolysiliconDepositionpolysiliconSilanegasDopantgasOxidation(Gateoxide)gateoxideoxygenPhotoresistStripoxideRFPowerIonizedoxygengasOxideEtchphotoresistoxideRFPowerIonizedCF4gasPolysiliconMaskandEtchRFPoweroxideIonizedCCl4gaspolygateRFPower1. 雙井工藝2. 淺槽隔離工藝3. 多晶矽柵結構工藝4. 輕摻雜漏(LDD)注入工藝5. 側牆的形成6. 源/漏（S/D）注入工藝7. 接觸孔的形成8. 局部互連工藝9. 通孔1和金屬塞1的形成10. 金屬1互連的形成11. 通孔2和金屬2的形成12. 金屬2互連的形成13. 製作金屬3、壓點及合金14. 參數測試PassivationlayerBondingpadmetalp+SiliconsubstrateLIoxideSTIn-wellp-wellILD-1ILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3M-4Polygatep-Epitaxiallayerp+ILD-6LImetalViap+p+n+n+n+2314567891011121314CMOS製作步驟一、雙井工藝

n-wellFormation

1）外延生長

2）厚氧化生長保護外延層免受污染；阻止了在注入過程中對矽片的過渡損傷；作為氧化物遮罩層，有助於控制注入過程中雜質的注入深度。

3）第一層掩膜

4）n井注入（高能）

5）退火Figure9.8p-wellFormation

1）第二層掩膜

2）P井注入(高能)

3）退火Figure9.9二、淺曹隔離工藝

STI槽刻蝕

1）隔離氧化層

2）氮化物澱積

3）第三層掩膜，淺曹隔離

4）STI槽刻蝕

（氮化矽的作用：堅固的掩膜材料，有助於在STI氧化物澱積過程中保護有源區；在CMP中充當拋光的阻擋材料。）Figure9.10STIOxideFill

1）溝槽襯墊氧化矽

2）溝槽CVD氧化物填充Figure9.11STIFormation

1）淺曹氧化物拋光（化學機械拋光）

2）氮化物去除Figure9.12三、PolyGateStructureProcess

電晶體中柵結構的製作是流程當中最關鍵的一步，因為它包含了最薄的柵氧化層的熱生長以及多晶矽柵的形成，而後者是整個積體電路工藝中物理尺度最小的結構。

1）柵氧化層的生長

2）多晶矽澱積

3）第四層掩膜，多晶矽柵

4）多晶矽柵刻蝕Figure9.13四、輕摻雜；漏注入工藝

隨著柵的寬度不斷減小，柵下的溝道長度也不斷減小。這就增加源漏間電荷穿通的可能性，並引起不希望的溝道漏電流。LDD工藝就是為了減少這些溝道漏電流的發生。

n-LDDImplant

1）第五層研磨

2）n-LDD注入（低能量，淺結）Figure9.14p-LDDImplant

1）第六層掩膜

2）P-輕摻雜漏注入（低能量，淺結）Figure9.15