《半导体集成电路 串行NOR型快闪存储器测试方法》.pdfVIP

ICS31.200

CCSL56

团体标准

T/CESAXXXX—202X

半导体集成电路

串行NOR型快闪存储器测试方法

Semiconductorintegratedcircuits—TestmethodsofserialNORFlash

202X-XX-XX发布202X-XX-XX实施

中国电子工业标准化技术协会发布

T/CESAXXXX—202X

目次

前言IV

1范围5

2规范性引用文件5

3术语和定义5

4符号和缩略语5

5一般要求5

6功能测试6

6.1擦除操作功能测试6

6.2页编程操作功能测试8

7静态参数测试8

7.1静态工作电流ICCSB8

7.2关断电流ICCPD9

7.3动态工作电流ICCOP10

7.4输出漏电流ILO11

7.5输入漏电流ILI12

7.6输入高电平电压V13

IH

7.7输入低电平电压V14

IL

7.8输出高电平电压V15

OH

7.9输出低电平电压V15

OL

8动态参数测试16

8.1串行时钟高脉宽时间tCH16

8.2串行时钟低脉宽时间tCL17

8.3片选信号有效建立时间tSLCH18

8.4片选信号有效保持时间tCHSH19

8.5片选信号失效建立时间tSHCH19

8.6片选信号失效保持时间tCHSL20

8.7片选信号取消选择时间tSHSL21

8.8输出关断时间tSHQZ21

8.9输出保持时间tCLQX22

8.10数据建立时间tDVCH23

II

T/CESAXXXX—202X

8.11数据保持时间tCHDX23

8.12输入保持建立时间tHLCH24

8.13输入保持解除时间tHHCH25

8.14输入保持持续时间tCHHH26

8.15输入保持时间tCHHL27

8.16输入保持生效到输出高阻延迟时间tHLQZ28

8.17输入保持解除到输出正常延迟时间tHHQX28

8.18输入时钟到输出正常延迟时间tCLQV29

8.19写保护建立时间tWHSL29

8.20写保护保持时间tSHWL30

8.21状态寄存器写入周期时间tW31

8.22页面编程时间tPP31

8.23扇区擦除时间tSE32

8.24块擦除时间tBE32

8.25片擦除时间tCE33

附录A（资料性）测试图形说明35

附录B（资料性）真值表引