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3-bitsFLASHADC

116039210002

一、系统设计

3-bitsFLASHADC需要7个比较器,pmos和nmos比较器需要分开来做。

二、模块设计

1、比较器

pmos比较器

仿真内容:

dc扫描Vin的值,从0.7V-1.1V,步进50uV,仿真它的Voffset参数和功耗;

通过tran仿真300ns的波形,Vin在100ns-200ns时从0变化到1.8V,仿真它的Tdelay参

数;通过ac扫描1-1GHz的频率,仿真出它的增益Av

仿真结果如下:

比较器性能结果:Vreference=0.9V

targetSIM_pre

projectSign[unit]judge

MINTYPMAXMINTYPMAX

DCgainAV[db]-60-65.58Pass

Offset_inputVos[mV]-1m-0.152Pass

DelaytimeTd[nS]-100-3.295Pass

由仿真结果来看,各电压下Av、Voffset、Tdelay都满足spec要求

nmos比较器

仿真结果:

V=1.575V时的仿真截图:

可以看出,比较器在所有Vreference下的spec都满足要求。

2、73热译设计

译采用数字逻辑门电路的结构,实现了7位热码转3位二进制码的功能。

仿真结果

三、3-bitsFLASHADC的设计与仿真

Vref的值由8个阻值为1.66K的电阻分压得到,下面四个比较器为pmoscomparator,上面三

个比较器为nmoscomparator。

仿真结果

输入Vin=(Vin+0.5)*0.225V,对Vin的值进行DC扫描,可以得到DigitalOutputcode的仿真

结果为:

纵坐标的值为4*Y2+2*Y1+1*Y0

由仿真结果来看,该flashADC的Offseterror和Full-scaleerror是比较小的。

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