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第六章p-n结;6.1pn结及其能带图;6.1pn结及其能带图根本结构;阻挡层;EFn高于EFp说明两种半导体中的电子填充能带的水平不同。;内建电势差
(TheContactPotential)VD;n型半导体中的电子浓度为;*势垒高度~ND、NA;突变结;载流子分布(Carrierdistributions);;6.2pn结电流理想电流电压关系;外加电场与内建电场方向相反，削弱了内建电场，因而使势垒两端的电势差由VD减小为〔VD-Vf〕，相应地势垒区变薄。;(1)正向偏置〔Forwardbias〕能带;Spacechargeregion;这两股电流之和就是正向偏置下流过p-n结的电流。;根据电流连续性原理，通过p-n结中任一截面的总电流是相等的，只是对于不同的截面，电子电流和空穴电流的比例有所不同而已。;;正向偏置时，半导体内的载流子浓度分布;6.2pn结电流理想电流电压关系;6.2pn结电流理想电流电压关系;6.2pn结电流理想电流电压关系;边界条件确实定;6.2pn结电流理想电流电压关系;6.2pn结电流理想电流电压关系;6.2pn结电流理想电流电压关系;6.2pn结电流理想电流电压关系;6.2pn结电流理想电流电压关系;6.2pn结电流理想电流电压关系;外加电场Vr与内建电场方向一致;势垒区两侧边界上的少数载流子被强电场扫过势垒区。使边界处的少子浓度低于体内。产生了少子的扩散运动，形成了反向扩散电流。;6.2pn结电流理想电流电压关系;6.2pn结电流理想电流电压关系;类似于正向偏置的方法，可求得反向电流密度;p-n结的正向和反向电流密度公式可统一用以下公式表示：;温度影响大;短二极管;影响p-n结伏-安特性的主要因素：;产生复合电流;产生复合电流;产生复合电流;产生复合电流;注入p+-n结的n侧的空穴及其所造成的电子分布;p-n结的直流伏-安特性说明：
1.具有单向导电性。
2.具有可变电阻性。;;;6.3结电容反偏;6.3结电容单边突变结;6.3结电容单边突变结;非均匀掺杂pn结;非均匀掺杂pn结;;CT与CD都与p-n结的面积A成正比，且随外加电压而变化。;〔3〕总电容;在反向偏置下，当反向电压很大时，p-n结的反向电流突然增加，从而破坏了p-n结的整流特性--p-n结的击穿。;;连锁反响，使载流子的数量倍增式的急剧增多，因而p-n结的反向电流也急剧增大，形成了雪崩击穿。;(2)齐纳击穿(Zenerberakdown)或隧道击穿;影响齐纳击穿电压的主要因素：;低浓度雪崩，高浓度隧穿;6.5pn结中的隧道效应;EFn;6.5pn结中的隧道效应;小结;小结
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