半导体三极管.pptx

6.6三极管主讲人：吕值敏电工电子技术

01三极管的结构和分类02电流分配与放大原理目录CONTENT03三极管的伏安特性及主要参数

第一部分三极管的结构和分类

三极管的结构和分类晶体管（三极管）是最重要的一种半导体器件。部分三极管的外型

三极管的结构和分类常见三极管的类型

三极管的结构和分类二、类型按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、PNP按使用频率分：低频管、高频管按功率分：小功率管500mW中功率管0.5?1W大功率管1W

三极管的结构和分类三层半导体材料构成NPN型、PNP型NNP发射极E基极B集电极C发射结集电结—基区—发射区—集电区emitterbasecollectorNPN型ECBPPNEBCECBPNP型

三极管的结构和分类各区主要作用及结构特点：发射区：作用：发射载流子特点：掺杂浓度高基区：作用：传输载流子特点：薄、掺杂浓度低集电区：作用：接收载流子特点：面积大

第二部分电流分配与放大原理

电流分配与放大原理一、晶体管放大的条件mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6?A实验电路1.内部条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大2.外部条件发射结正偏集电结反偏二、晶体管的电流分配和放大作用电路条件:ECEB发射结正偏集电结反偏

电流分配与放大原理1.测量结果IB/mA00.010.020.030.040.05IC/mA?0.0010.501.001.602.202.90IE/mA?0.0010.511.021.632.242.95IC/IB5050535558?IC/?I1）符合KCL定律（2）IC和IE比IB大得多（3）IB很小的变化可以引起IC很大的变化。即：基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用，这就是晶体管的放大作用。mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6?A

电流分配与放大原理2.晶体管的电流分配关系总结：1.晶体管在发射结正向偏置、集电结反向偏置的条件下具有电流放大作用。2.晶体管的电流放大作用，实质上是基极电流对集电极电流的控制作用。

第三部分三极管的伏安特性及主要参数

三极管的伏安特性及主要参数一、伏安特性1、输入特性与二极管特性相似RCECiBIERB+uBE?+uCE?EBCEBiC+?+?+?输入回路输出回路iBRB+uBE?EB+?EB+?RBO特性右移(因集电结开始吸引电子)特性基本重合(电流分配关系确定)导通电压UBESi管:(0.6?0.8)V取0.7VGe管:(0.2?0.3)V取0.2V

三极管的伏安特性及主要参数2、输出特性50μA40μA30μA10μAIB=0uCE/VO24684321iC/mA20μA输出特性曲线mAICECIBRBEBCEB3DG6?ARCV+uCE?调整RB使基极电流为某一数值。基极电流不变，调整EC测量集电极电流和uCE电压。

三极管的伏安特性及主要参数深度饱和时：（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置。（2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置。（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置iB0，uBE0，uCE≤uBE0.3V(硅管)UCE为：0.1V(锗管)iC/mAuCE/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321饱和区输出特性曲线

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