《模拟电子技术》课件——认识半导体二极管.pptx

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目录本征半导体二极管的等效电路2二极管的伏安特性1二极管的温度特性3欢迎来到模拟电子技术的课堂

半导体二极管二极管内部结构VD正极（阳极）二极管符号负极（阴极）PN引线外壳PN结阳极阴极

二极管的伏安特性硅管0.5V锗管0.1V反向击穿电压U(BR)导通压降正向特性反向特性特点：非线性UI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数（很小，级）外加电压大于反向击穿电压，二极管被击穿，失去单向导电性。外加电压大于死区电压，二极管才能导通。?A硅0.7V锗0.3V

二极管的伏安特性限流电阻BrightSpark软件仿真二极管的伏安特性曲线测试

1.电路连线都由类似管道的双线连接，电路接通后，电路中的电流便开始按一定的方向在管状线路中流动。2.电路中电位的高低用不同的颜色表示,由红至兰表示电位由高到低，电路工作时，通过电路连接导线颜色的变化就可知道电路各处电位高低的变化，非常直观、新颖。二极管的伏安特性BrightSpark软件放置二极管的伏安特性曲线测试

正向：OA段（死区）：硅管约0.5V锗管约0.1V正向导通：硅管约0.7V锗管约0.3V反向：OB段（截止区）：I近似为0击穿区：管子被击穿二极管的伏安特性UI0AB伏安特性硅正向死区正向导通区反向截止区反向击穿区

二极管的伏安特性指的就是“正向导通区”和“反向截止区”这两个常用的工作状态。二极管的单向导电性

二极管的温度特性半导体二极管温度的稳定性不好，所以在使用时要注意温度的影响。温度升高，反向伏安特性下移温度升高，正向伏安特性左移

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