《模拟电子技术》课件——半导体基础知识.pptxVIP

欢迎来到模拟电子技术的课堂LEARN模拟电子技术模拟电子技术

半导体基础知识LEARN欢迎来到模拟电子技术的课堂

目录本征半导体杂质半导体2本征半导体1PN结的特性3欢迎来到模拟电子技术的课堂

半导体基础知识手机充电器扩音器电子元器件

半导体基础知识导体：一般为低价元素，如铜、铁、铝。绝缘体：一般为高价元素（如惰性气体）或高分子物质（如塑料和橡胶）。半导体：其导电性介于导体和绝缘体之间（如硅和锗）或高分子物质（如塑料和橡胶）。010203

半导体基础知识1.半导体具有光敏性、热敏性和掺杂性的独特性能，因此在电子技术中得到广泛应用。2.半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。光敏性热敏性掺杂性半导体受光照后，其导电能力大大增强受温度的影响，半导体导电能力变化很大在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电能力极大地增强

本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式共价健SiSiSiSi价电子硅单晶中的共价健结构硅Si和锗Ge为4价元素原子结构及共价键

半导体基础知识价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱共价键的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。本征激发SiSiSiSi价电子空穴自由电子自由电子和空穴成对出现-电子空穴对

本征半导体的导电机理1.自由电子作定向运动?电子电流2.价电子递补空穴?空穴电流当半导体两端加上外电压时，出现两部分电流本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；温度愈高，载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。空穴和自由电子的运动相反。自由电子负电荷，空穴带正电荷，它们都可以形成电流。自由电子和空穴都称为载流子。注意

动画：两种载流子

杂质半导体SiSiSiSip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子(1)N型半导体失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成杂质半导体。掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为主要的导电方式，称为电子半导体或N型半导体。掺入五价元素在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。

P型半导体在掺入杂质后，多数载流子的数目相当程度的增加。假如掺入百万分之一的杂质，导电能力就会增加一百万倍。掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。掺入三价元素在P型半导体中1.空穴是多数载流子，2.自由电子是少数载流子。SiSiSiSiB–硼原子空穴接受一个电子变为负离子

PN结的特性形成空间电荷区

PN结的特性用模拟万用表的“欧姆档”测试二极管的正、反向的电阻值PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。P区N区空间电荷区变窄i外电场方向内电场方向PN结的正向偏置

用模拟万用表的“欧姆档”测试二极管的正、反向的电阻值PN结加反向电压时，PN结变宽，反向电流极小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。PN结的特性P区N区空间电荷区变窄i外电场方向内电场方向PN结的反向偏置

用模拟万用表的“欧姆档”测试二极管的正、反向的电阻值PN结正偏时，正向电阻很小，形成了较大的正向电流IF+–PN结的特性

PN结的特性用模拟万用表的“欧姆档”测试二极管的正、反向的电阻值PN结反偏时，呈现较大的反向电阻，反向电流小+–IR

欢迎来到模拟电子技术的课堂感谢观看LEARN