tft三次及施展同学笔记作业组-pre.pptx

TFT-LCDTRANSPARENT——曹旭宏雷梦雷张桂山冯子洋练紫莹

透明TFT-LCD玻璃橱窗OLEDEL显示屏……

机理透明电路带隙载流子浓度

以ITO玻璃为衬底,腐蚀出TTFT源漏电极;采用PELD连续生长六方相ZnMgO或者混晶相ZnMgO(统一简写为H一ZnMgO)作为TTFT有源层,C一ZnMgo作为绝缘层经过沉积金属电极层及腐蚀工艺,最终完成TTFT器件。透明TFT制程

腐蚀ITO玻璃生长ZnMgO复合层结构刻蚀腐蚀ITO玻璃，为ZnMgO薄膜的沉积做准备。GlasssubstrateITOITO

生长ZnMgO复合层结构腐蚀ITO玻璃刻蚀沉积六方相ZnMgO有源层沉积立方相ZnMgo栅介电层GlasssubstrateITOITOH-ZnMgOC-ZnMgo

刻蚀生长ZnMgO复合层结构腐蚀ITO玻璃沉积铝电极刻蚀至ITO电极，完成单元器件GlasssubstrateITOITOH-ZnMgOC-ZnMgoAlelectrodeGlasssubstrateITOITOH-MgZnOchannelC-MgZnOdielectricsAlelectrode

新型透明电极制程成本高柔韧性差ITO导电性好柔韧性好光透率高石墨烯–银纳米线纳米银孔洞不稳定石墨烯晶界

石墨烯制备纳米银线制备复合

石墨烯制备纳米银线制备复合用CVD方法在Cu箔制备单层石墨烯薄膜用溶剂热法合成高纯度银纳米线石墨烯–银纳米线的复合采用湿法转移方法将石墨烯转移到AgNW网格上旋涂PMMA→去除铜箔→将PMMA/石墨烯层帖附在AgNW网格上→去除PMMA采用石墨烯在上AgNW网格在下的结构，这是因为石墨烯具有优良的柔性和拉伸性能，采用石墨烯在上的结构能实现石墨烯对银纳米线的包裹，使石墨烯与AgNW网格接触更加紧密，从而减少复合薄膜的接触电阻。由于石墨烯和AgNW网格并非独立的传导通路，而是杂揉在一起共同参与电子传输,两者具有独立的特点，可克服彼此的导电缺陷

光透过率导电性化学稳定性柔韧性低成本高达91.1％16?/m2长期暴露于湿热空气中不变性10%的弯曲应力

优我们的优势开口率功耗……

要解决的问题亮度保证抗压能力……

掰

透明LED背光源底玻璃TFTarraysubstrateLClayerColorfilter面玻璃

石墨烯的制备、表征及光电性质应用研究_许士才ZnMgO纳米薄膜在MOSFET和透明TFT中的应用_梁军透明电路_野泽哲生基于ITO薄膜的透明LED显示屏的制作_熊智淳参考文献透明有机薄膜晶体管的研究与制备_张楠ITO和SnO_2透明导电膜的用途与制备_齐甸农高透过率透明液晶显示器研究与开发_王海宏纳米粒子变透明玻璃为投影屏幕_杨玲玲......

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EL显示屏

透明机理

透明TFT

a-Si:HTFT作为有源开关器件,在TF下LCD中得到广泛的应用但是,a-Si:HTFT的最大的缺点是场效应迁移率低,同时由于a-Si的禁带比较窄卜1.e7V)使得其在可见光范围内不透明,这就极大的限制了a-si:HTFT的应用范围,尤其是a-si:HTFT不能用来制作启动电路,TFT-LCD需要配置专用的外围驱动电路,提高了制造成本,降低了可靠性透明半导体氧化物作为开关器件的先决条件是禁带宽度大于3eV,具有高电导性和高光透过率(80%)其他透明的宽禁带半导体GNa103]和siCl9.]目前也有研究用于TTFT但是,宽禁带半导体氧化物有更现实的前景,因为它们可以在低温下生长,这样衬底的选择将会更多,包括玻璃和有机物在所有的氧化物半导体材料中,ZnO由于具有低温生长的特性和高电导而受到广泛的关注ZnO结构决定了TFT器件的闽值电压及其电传导特性的好坏半导体ZnO薄膜材料呈强n型,载流子浓度可以达到120/cm3,单晶zno迁移率可以达到200cm2/Vs

有利于形成多数载流子为电子的耗尽型场效应晶体管,自然地利用了电子迁移率高于空穴迁移率的优越性但是增强型TFT在低功耗半导体器件拥有更好的前景采用不同的生长技术,ZnO生长温度选择可以在300一700℃之间ZnO基FET发展面临的其中一个挑战是有源层载流子的控制未退火的Zno表现高的载流子浓度,高的载流子浓度使得沟道在未加电压时也处于导通状态,器件工作在耗尽状态下,因此本征Zno器件是耗尽型器件但是,高浓度载流子耗尽的实现是很困难的,由外加电压控制电导的增强型器件更具有实用价值nzo可以与Mgo形成ZnMgO合金材料,通过调节znMgO中Mg的含量可以有效地增大禁带宽度,降低载流子浓度而且,近来有报道通过磷掺杂引入受主能级从而减少电子浓度,而且可能实现p型ZnMgO材料

透明电