Starpower嘉兴斯达GD660HFA75N5HY_B29产品手册.pdf

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2024-08-30 发布于广东
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Starpower嘉兴斯达GD660HFA75N5HY_B29产品手册.pdf

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GD660HFA75N5HY_B29IGBTModule

STARPOWER

SEMICONDUCTORIGBT

GD660HFA75N5HY_B29

750V/660A2inone-package

GeneralDescription

STARPOWERIGBTPowerModuleprovidesultra

lowconductionlossaswellasshortcircuitruggedness.

Theyaredesignedfortheapplicationssuchas

hybridandelectricvehicle.

Features

LowVCE(sat)TrenchIGBTtechnology

Lowswitchinglosses

6μsshortcircuitcapability

VCE(sat)withpositivetemperaturecoefficient

Maximumjunctiontemperature175C

Lowinductancecase

Fastsoftreverserecoveryanti-parallelFWD

IsolatedcopperpinfinbaseplateusingSiNAMBtechnology

TypicalApplications

Automotiveapplication

Hybridandelectricvehicle

Inverterformotordrive

EquivalentCircuitSchematic

GD660HFA75N5HY_B29IGBTModule

AbsoluteMaximumRatingsT=25Cunlessotherwisenoted

IGBT

SymbolDescriptionValuesUnit

VCESCollector-EmitterVoltage750V

VGESGate-EmitterVoltage±20V

ICNImplementedCollectorCurrent660A

ICollectorCurrent@T65CT=175C500A

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