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GD660HFX75N5HY_B29IGBTModule
STARPOWER
SEMICONDUCTORIGBT
GD660HFX75N5HY_B29
750V/660A2inone-package
GeneralDescription
STARPOWERIGBTPowerModuleprovidesultra
lowconductionlossaswellasshortcircuitruggedness.
Theyaredesignedfortheapplicationssuchas
hybridandelectricvehicle.
Features
LowVCE(sat)TrenchIGBTtechnology
Lowswitchinglosses
6μsshortcircuitcapability
VCE(sat)withpositivetemperaturecoefficient
o
Maximumjunctiontemperature175C
Lowinductancecase
Fastsoftreverserecoveryanti-parallelFWD
IsolatedcopperpinfinbaseplateusingSiNAMBtechnology
34
TypicalApplications
Automotiveapplication
Hybridandelectricvehicle
Inverterformotordrive
EquivalentCircuitSchematic
©2023STARPOWERSemiconductorLtd.11/20/20231/10B01
GD660HFX75N5HY_B29IGBTModule
o
AbsoluteMaximumRatingsT=25Cunlessotherwisenoted
j
IGBT
SymbolDescriptionValuesUnit
VCESCollector-EmitterVoltage750V
VGESGate-EmitterVoltage±20V
ICNImplementedCollectorCurrent660A
oo
ICollectorCurrent@T65CT=175C390A
CFvj
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