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GD450HFX120N6HYIGBTModule
STARPOWER
SEMICONDUCTORIGBT
GD450HFX120N6HY
1200V/450A2inone-package
GeneralDescription
STARPOWERIGBTPowerModuleprovidesultra
lowconductionlossaswellasshortcircuitruggedness.
Theyaredesignedfortheapplicationssuchas
hybridandelectricvehicle.
Features
LowVCE(sat)TrenchIGBTtechnology
Lowswitchinglosses
6μsshortcircuitcapability
VCE(sat)withpositivetemperaturecoefficient
o
Maximumjunctiontemperature175C
Lowinductancecase
Fastsoftreverserecoveryanti-parallelFWD
IsolatedcopperpinfinbaseplateusingSiNAMBtechnology
34
TypicalApplications
Automotiveapplication
Hybridandelectricvehicle
Inverterformotordrive
EquivalentCircuitSchematic
©2024STARPOWERSemiconductorLtd.6/4/20241/9B01
GD450HFX120N6HYIGBTModule
o
AbsoluteMaximumRatingsT=25Cunlessotherwisenoted
F
IGBT
SymbolDescriptionValuesUnit
VCESCollector-EmitterVoltage1200V
VGESGate-EmitterVoltage±20V
ICNImplementedCollectorCurrent450A
o300
ICCollectorCurrent@TF100CA
ICRMRepetitivePeakCollectorCurrenttplimitedbyTv
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