材料电子及中子分析技术 课件 2知识点3 标准电子衍射花样及偏移矢量.pptx

;课程内容;一、标准电子衍射花样;1）作出晶体的倒易点阵（可暂不考虑系统消光），定出倒易原点。

2）过倒易原点并垂直于电子束的入射方向，作平面与倒易点阵相截，保留截面上原点四周距离最近的若干阵点。

3）结合消光规律，除去截面上的消光阵点，该截面即为零层倒易阵面。各阵点指数即为标准电子衍射花样的指数。;法

已知晶体结构时画法（uvw）﹡

1）试探法找到第一个低指数的晶面h1k1l1,使h1u+k1v+l1w=0;如果能方便找到第二个低指数的晶面h2k2l2更好，即h2u+k2v+l2w=0；

2）运用矢量合成法即可求得其它各点了；

3）由消光规律得出有效点指数；

4）补漏检查是否所有倒易点均已画上。

注意：开始选不同的h1k1l1，其过程一样，如不漏点的话，则指数也应一样。

[uvw]即为晶带轴，所有倒矢量均与之垂直。

友情提醒：第二个低指数的晶面h2k2l2一般不易找到，一般在找到第一个后，就选用与第一个倒矢 量垂直的第二个矢量，这对画图有利且方便。;举例：绘出面心立方（321）﹡倒易面-解法1

1）试探：（h1k1l1）为（1-1-1）面合适，得第一倒矢量g1-1-1

2）定（h2k2l2）.设定gh2k2l2⊥g1-1-1,则

gh2k2l2⊥r即3h2+2k2+1l2=0

gh2k2l2⊥g1-1-1即h2-k2-l2=0

解方程组得：h2k2l2=1-45,由于该点消光，放大为2－810;解法2;（1）由倒易面指数321逆向推得三个面截距分别为和1/3，1/2，1，作出该截面，三顶点分别为1/600，01/20和001，见图5-12（a）。

（2）同时放大三截距6倍（3、2、1的最小公倍数），分别得2，3和6，作出该倒易阵面，三个顶点指数分别为200，030，006，见图5-12（b）。

（3）平移该倒易阵面的任一顶点至倒易原点O*，如顶点200移至原点O*，另两顶点同步位移，分别为200，030和006，并计算三个边长，分别为;绘制六方结构中与[010]方向垂直且过倒易点阵原点的标准电子衍射花样;二、偏移矢量;二、偏移矢量;二、偏移矢量;二、偏移矢量;本章小结;注意：图(f)为电子束先通过单晶后又穿过多晶区，单晶产生斑点，每衍射束又成为入射束产生多晶环