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本科毕业论文参考模板(2011届)pdf
黑龙江大学本科生毕业论文（设计）档案编码：
学院：
电子工程学院专业：
电子信息科学与技术年级：
2007学生姓名：
贾斯琪毕业论文题目：
基于MATLAB的语音信号时频域参数分析指导教师：
张忠装订日期：
年月日备注栏摘要关键词纳米硅薄膜；纳米硅/单晶硅异质结；低压化学气相淀积IIIAbstractKeywordsNano-crystallinesilicon;Nanocrystalline/Crystallinesiliconheterojunction;LPCVD目录（黑体小二）摘要IAbstractII（注：
一级目录黑体小四；二级目录宋体小四；三级目录宋体小四行间距1.5倍行间距）第一章综述11.1纳11.2纳11.2.111.2.211.2.311.2.411.3纳11.4本章小结1第二章纳22.1纳22.2纳22.3本章小结2第三章纳33.1纳33.2纳33.3纳33.4纳33.5本章小结3第四章纳44.1纳44.2纳错误！未定义书签。
4.3讨论错误！未定义书签。
4.4本章小结4结论5参考文献5致谢7纳米硅/单晶硅异质结特性研究（页眉：
楷体五号）第一章综述（黑体小二）1.1纳米硅/单晶硅异质结研究现状（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）1.2纳米硅/单晶硅异质结的应用（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）1.2.1在集成电路方面的应用（黑体四号）（正文宋体小四1.5倍行间距）图1-1纳米硅异质结二极管剖视图图1-2电极/(p)nc-Si:H/(n)c-Si/电极结构图标(黑体五号)1.2.2在压力传感器方面的应用（黑体四号）（正文宋体小四1.5倍行间距）1.2.3在太阳能电池方面的应用（黑体四号）（正文宋体小四1.5倍行间距）1.2.4在发光器件方面的应用（黑体四号）（正文宋体小四1.5倍行间距）1.3纳米硅薄膜的研究现状及发展趋势（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）1.4本章小结（黑体小三）本章主要对纳米硅/单晶硅异质结的国内外研究进展和最新成果进行了介绍，同时介绍了采用PECVD、LPCVD等方法制得的纳米硅薄膜的国内外研究现状和发展趋势。
并在纳米硅/单晶硅异质结的众多应用中，选取太阳能电池、集成电路、压力传感器、发光器件四个应用方面进行了着重介绍。
1纳米硅/单晶硅异质结特性研究（页眉：
楷体五号）第二章纳米硅/单晶硅异质结的基本结构和制作工艺（黑体小二）2.1纳米硅/单晶硅异质结的基本结构（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）2.2纳米硅/单晶硅异质结制作的工艺过程（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）2.3本章小结（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）2纳米硅/单晶硅异质结特性研究（页眉：
楷体五号）第三章纳米硅/单晶硅异质结特性（黑体小二）3.1纳米硅薄膜的XRD表征（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）3.2纳米硅薄膜的AFM研究（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）3.3纳米硅/单晶硅异质结二极管I-V特性（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）3.4纳米硅/单晶硅异质结温度特性（黑体小三）（正文宋体小四1.5倍行间距）3.5本章小结（黑体小三）本章主要叙述了采用HP4145B半导体参数测试仪测试纳米硅/单晶硅异质结的I-V特性曲线，并把纳米硅薄膜厚度不同的异质结样品的特性曲线进行了比较，最后简单介绍了其温度特性曲线。
3纳米硅/单晶硅异质结特性研究（页眉：
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