集成电路制造工艺 课件 11清洗、污染控制及良率.ppt

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第11章污染控制主要的几种污染物微粒根据经验得出的法则是:微粒的大小要小于器件上最小的特征图形尺寸的1/10,否则,就会形成缺陷。落于器件的关键部位并毁坏了器件功能的微粒被称为致命缺陷。可移动离子污染物(MIC)绝大部分化学物质中都有能够引起器件失效的金属离子。最常见的可移动离子污染物是钠。钠离子是在硅中移动性最强的物质。因此,对钠的控制成为硅片生产的首要目标。化学物质指半导体工艺中不需要的化学物质。最常见的这种化学物质是氯(Cl)。在工艺过程用到的化学品中,氯的含量受到严格的控制。细菌在工艺过程中的水的系统中或在不定期清洗的表面生成的有机物污染。污染物引起的问题器件工艺良品率下降器件性能下降器件可靠性降低主要污染源及其控制方法控制方法漪涟漪涟漪涟漪涟漪涟漪化学品化学气体空气水人员厂务设备主要污染源净化空气(洁净工作台法、隧道型设计、完全洁净室方法和微局部环境)洁净室技术把人员完全包裹起来去离子水超纯的化学品(半导体级)超纯的化学气体FAB(fabrication)中的空气等级布局FAB间又叫洁净室、无尘室,比医院的手术室干净1千倍晶圆厂空气处理系统

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