TCASAS037-碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管SiC MOSFET栅电荷测试方法.pdf

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS037—202X（征求意见稿）

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）栅电荷测试方法

Gatechargetestmethodforsiliconcarbidemetal-oxide-

semiconductorfield-effect-transistor（SiCMOSFET）

（征求意见稿）

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XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASAS037—202X（征求意见稿）

目次

前言II

引言III

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4测试原理3

栅电荷测试基本原理3

感性负载（双脉冲）电路测试原理4

阻性负载（单脉冲）电路测试原理5

5测试条件6

6测试流程6

感性负载（双脉冲）测试流程6

阻性负载（单脉冲）测试流程6

7测试数据处理7

感谢负载(双脉冲)测试数据处理7

阻性负载（单脉冲）测试数据处理8

8测试报告8

附录A9

参考文献10

I

T/CASAS037—202X（征求意见稿）

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）制定发布，版权归CASA所有，未经CASA许可

不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASA允许；任何单位或个人引用本文件的

内容需指明本文件的标准号。

本文件主要起草单位：

本文件主要起草人：

II

T/CASAS037—202X（征求意见稿）

引言

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力

强、导通电阻低和开关损耗小等特点，广泛应用于高频、高压功率系统中。随着电力电子技术的不断发

展，越来越多的领域如新能源汽车、航天、航空、石油勘探、核能、通信等，迫切需要能够在髙温、高

频等极端环境下工作的电子器件。栅极电荷QG是评价器件特性的关键参数。特别是对于开关和驱动器

损耗估计，准确测试提取器件栅源电荷QG