一种PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法[发明专利].pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN105772119A

(43)申请公布日

2016.07.20

(21)申请号201610125468.2

(22)申请日2016.03.04

(71)申请人北京乐普医疗科技有限责任公司

地址102200北京市昌平区超前路37号7-1

号楼

(72)发明人张单单胡飞熊晶邱笑违

余占江

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

代理人巩克栋侯潇潇

(51)Int.Cl.

B01L3/00(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图1页

(54)发明名称

一种PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰

方法

(57)摘要

本发明提供了一种PDMS微流控芯片表面多

聚赖氨酸修饰方法，通过对PDMS微流控芯片进行

等离子体处理以及硅烷化处理，再与多聚赖氨酸

偶联，多聚赖氨酸以共价结合的方式牢固结合在

芯片表面，形成了能高效固定蛋白质的微流控芯

片。这样修饰得到的芯片不但保留有信噪比高、

结合容量高、点间变异系数低等多聚赖氨酸修饰

法的一般优点，更重要的是解决了多聚赖氨酸以

物理吸附的方式与芯片结合不牢固，尤其是在微

流控的应用中易脱落的问题。

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CN105772119A权利要求书1/2页

1.一种PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述方法为：对PDMS微

流控芯片进行等离子体活化处理和硅烷化处理，而后在交联剂作用下与多聚赖氨酸共价结

合，实现对PDMS微流控芯片表面的多聚赖氨酸修饰。

2.根据权利要求1所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述

等离子体活化处理为：PDMS微流控芯片经初步超声清洗后，用等离子体活化处理1-15min；

优选为3-10min；

优选地，所述等离子体活化处理时等离子体发生功率为10-20kw，等离子体空气流量

200-300mL/min；

优选地，所述超声清洗为利用去离子水进行超声清洗。

3.根据权利要求1或2所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，

所述硅烷化处理为将等离子体活化处理后的PDMS微流控芯片置于硅烷化试剂溶液中进行

硅烷化处理，得到硅烷化处理的PDMS微流控芯片。

4.根据权利要求3所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特征在于，所述

硅烷化试剂为3-氨丙基三甲氧基硅氧烷、二氯二甲基硅烷、三甲基氯硅烷或六甲基二硅氨

烷中的任意一种或至少两种的组合，优选为3-氨丙基三甲氧基硅氧烷。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特

征在于，所述硅烷化试剂溶液为硅烷化试剂的乙醇溶液，浓度为0.1-10％，优选为1-2％；

优选地，所述硅烷化处理的温度为50-70℃，优选为60-65℃；

优选地，所述硅烷化处理的时间为25-90min，优选为45-75min。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的PDMS微流控芯片表面多聚赖氨酸修饰方法，其特

征在于，所述在交联剂作用下与多聚赖氨酸共价结合的方法为：将硅烷化处理后的PDMS微

流控芯片置于多聚赖氨酸溶液中，在交联剂的作用下进行共价结合；

优选地，所述交联剂为1-乙基-3(3-二甲氨丙基)碳二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺、戊二

醛、4-马来酰亚胺基丁酸-N-琥珀酰亚胺酯、3-马来酰亚胺基苯甲酸琥珀酰亚胺酯中的任意