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掺杂对二维材料MoX2(S，Se)的电子结构影响的理论研究
摘要
文章主要介绍了掺杂对二维材料MoX2(S，Se)晶体结构和能带结构的影响。本论文我们采用密度泛函理论-第一性原理，研究了在MoS2和MoSe2中掺杂不同种类的非金属原子以及金属W原子对其电子结构的影响。对于MoS2非金属原子掺杂，我们采用一个C/N/O/Se原子替换MoS2中的一个S原子，对于金属掺杂，我们采用一个金属W原子替换MoS2中的一个Mo原子。对于MoSe2非金属原子掺杂，我们采用一个C/N/S原子替换MoSe2中的一个Se原子，对于金属掺杂，我们采用一个金属
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