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1
T/SZECCXXX-XXXX
新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术规范
1范围
本文件规定了绝缘栅双极型晶体管的术语和定义、符号、极限值、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本文件适用于新能源车用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的设计、生产和应用。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T29332半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
GB/T11499半导体分立器件文字符号
GB/T4937.21半导体器件机械和气候试验方法第21部分:可焊性GB/T26572电子电气产品中限用物质的限量要求
GB/T29332半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T4023半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划QC/T1136电动汽车用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块环境试验要求及试验方法
3术语和定义
GB/T29332及GB/T4023界定的术语和定义适用于本文件。
4符号
GB/T11499界定的符号适用于本文件。
5极限值
产品的极限值应包括表1中的项目,极限值的具体指标应符合产品规格书的要求。表1极限值
序号
项目名称
符号
单位
1
漏源电压
VDS
V
2
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表1极限值(续)
序号
项目名称
符号
单位
2
正向栅源电压
VGSF
V
3
反向栅源电压
VGSR
V
4
栅漏电压
VGD
V
5
漏极电流
ID
A
6
规定脉冲条件下的峰值漏极电流
ID(pulse)
A
7
二极管正向电流
I
SD
A
8
最大结温
Tjmax
℃
9
工作结温范围
Tjop
℃
10
贮存温度
Tstg
T
℃
11
工作温度(环境或壳温)
Tcase
T
℃
12
耗散功率(功耗)
Ptot
W
6技术要求
6.1一般要求
6.1.1应符合相关文件的规定,并按经规定程序批准的图样和技术文件制造。
6.1.2配套的外购外协件应符合相关文件的规定,并附有制造商提供的产品合格证明。
6.2外观要求
6.2.1外形应端正,壳体无破损,外表面应平整光洁、色泽均匀,部件的表面应清洁,无污渍、无锈蚀,无毛刺、锋棱和破裂等可能造成对人体有伤害的不良结构。不得有明显的划痕或凹凸等缺陷。
6.2.2金属构件应进行防锈处理,喷涂或油漆件应平整光亮,色泽均匀,漆层牢固,其表面应无明显流漆、斑痕、皱纹和剥落等缺陷。
6.3结构要求
6.3.1工作应平稳,无冲击、间歇现象。
6.3.2各部件应连接紧密,紧固件应安装牢固。
6.4尺寸
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外形尺寸偏差应在±2㎜的范围内。
6.5电气特性
6.5.1静态特性
TT
vj=25℃时和vjmax时,IGBT功率的静态特性应包括表2中的项目,静态特性的具体指标应
符合产品规格书的要求。
表2静态特性
序号
项目名称
符号
单位
数值
最小值
典型值
最大值
1
集电极-发射极饱和电压
VCEsat
V
√
√
2
栅极-发射极阈值电压
VTH
V
√
√
3
集电极截止电流
ICES
mA
√
4
栅极漏电流
IGES
nA
√
5
二极管正向电压
VF
V
√
√
6
输入电容
Cies
nF
√
7
栅极电荷
Qg
uC
√
8
反向传输电容
Cres
uC
√
9
模块电感
LM
nH
√
10
栅极内阻
Rgint
Ω
√
11
短路电流
(最高工作结温时,规定测试条件)
ISC
A
√
注:“√”表示需要提供。
6.5.2二极管动态特性
Tvj=25℃时和Tvjmax时,IGBT功率的二极管动态特性应包括表3中的项目,二极管动态特性的具体指标应符合产品规格书的要求。
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表3二极管动态特性
序号
项目名称
符号
单位
数值
最小值
典型值
最大值
1
二极管反向恢复电荷
Qrr
uC
√
2
二极管反向恢复电流
rrI
rr
A
√
3
反向恢复损耗
recE
rec
mJ
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