- 1、本文档共8页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
DXG40N65HSEU
DXG40N65HSEU
IGBT
Features
650V40A,VCE(sat)(typ.)2.3V@40A
FieldStopIGBTTechnology.
10μsShortCircuitCapability.
SquareRBSOA.
PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient.
Benefits
HighEfficiencyforWelding,Inductiveheating,UPSandotherhighfrequencyapplication
RuggedPerformance
ExcellentCurrentSharinginParallelOperation
AbsoluteMaxinmunRatings
SymbolParameterValueUnits
VCESCollector-EmitterVoltage650V
VGESGate-EmitterVoltage±30V
ContinuousCollectorCurrent(T25℃)80A
C
IC
ContinuousCollectorCurrent(T100℃)40A
C
ICMPulsedCollectorCurrent(Note1)160A
IDiodeContinuousForwardCurrent(T100℃)40A
FC
IFMDiodeMaximumForwardCurrent(Note1)160A
tscShortCircuitWithstandTime10us
IscShortCircuitCurrent220A
PMaximumPowerDissipation(T25℃)312W
DC
PMaximumPowerDissipation(T100℃)125W
D
文档评论(0)