- 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
AP8205A
DualN-ChannelEnhancementMosfet
Feature
⚫20V,6.0A
R()26mΩ@V=4.5VTYP=20mΩ
DSONGS
R()33mΩ@V=2.5VTYP=26mΩ
DSONGS
⚫AdvancedTrenchTechnology
⚫Leadfreeproductisacquired
⚫LowgatechargeSchematicDiagram
Application
⚫InterfacingSwitching
⚫LoadSwitching
⚫Powermanagement
MarkingandpinAssignment
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)
8205AAP8205ATSSOP-8--5000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)
J
ParameterSymbolValueUnit
Drain-SourceVoltageVDS20V
Gate-SourceVoltageVGS±12V
ContinuousDrainCurrent(Ta=25℃)ID6.0A
ContinuousDrainCurrent(Ta=70℃)ID4.0A
PulsedDrainCurrentIDM24A
PowerDissipationPD2.5W
ThermalResistancefromJunctiontoAmbient(4)RθJA50℃/W
JunctionTemperatureTJ150℃
StorageTemperature
文档评论(0)