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AP8205
DualN-ChannelEnhancementMosfet
Feature
⚫20V,6.0A
R()26mΩ@V=4.5VTYP=20mΩ
DSONGS
R()33mΩ@V=2.5VTYP=26mΩ
DSONGS
⚫AdvancedTrenchTechnology
⚫Leadfreeproductisacquired
⚫LowgatechargeSchematicDiagram
Application
⚫InterfacingSwitching
⚫LoadSwitching
⚫Powermanagement
MarkingandpinAssignment
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity(PCS)
8205AAP8205SOT23-6-3000
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(T=25℃unlessotherwisenoted)
J
ParameterSymbolValueUnit
Drain-SourceVoltageVDS20V
Gate-SourceVoltageVGS±12V
ContinuousDrainCurrent(Ta=25℃)ID6.0A
ContinuousDrainCurrent(Ta=70℃)ID4.0A
PulsedDrainCurrentIDM24A
PowerDissipationPD2.5W
ThermalResistancefromJunctiontoAmbient(4)RθJA50℃/W
JunctionTemperatureTJ150℃
StorageTemperature
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