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学院姓名学号任课老师选课号/座位号
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
成都理工大学二零零九至二零一零学年第二学期期末考试
半导体物理课程考试题A卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期20年月日
课程成绩构成：平时30分，期末70分
复核人
一二三四五六七八九十合计
签名
得分
签名
-19-12
可能用到的物理常数：电子电量q=1.602×10C，真空介电常数ε=8.854×10F/m，室温（300K）的
0
2219-3N=1.04
kT=0.026eV，SiO相对介电常数=3.9，n型100Si，A*=2.1×120A/(cmK·)，N=2.8×10cm,V
02C
19-3
×10cm
得分
一、填空题:在括号中填入正确答案（共40分，共19题，每空1分）
1.半导体Si是（）结构；导带和价带间的能隙称为（）；Si,Ge为（）能
隙半导体。
2.从价带中移出一个电子，会生成（）；半导体中同时存在电子和空穴两种载流子。
3.掺杂一般是为了（）半导体的电导率，如向Si中掺入（）可以得到n型半导
体；掺（）可以得到p型半导体。
4.如同时向硅Si中掺入浓度为N的磷P和浓度为N的硼B且全部电离，设NN，则
DAAD
此时Si为()半导体。
5.对于杂质浓度较低的样品，迁移率随着温度升高而（）,这是由于晶格散射起主要
18-3
作用。到杂质浓度高到10cm以上后，在低温范围，随着温度的升高，电子迁移率反
而（），到一定温度后才稍有下降，这是由于温度低时，（）起主要作用。
6.光照一块p型半导体，产生非平衡电子Δn和非平衡空穴Δp，则把非平衡电子Δn称为
（），而把非平衡空穴Δp称为非平衡多数载流子。并且非平衡电子浓度Δn
（）非平衡空穴浓度Δp；
7.金是有效的（），在半导体中引入少量的金，就能够显著（）少数载流子的寿命；
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