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微电子学基础试卷
考生姓名:__________________答题日期:__________________得分:__________________判卷人:__________________
第一部分单选题(本题共15小题,每小题2分,共30分.在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的)
1.半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间,以下哪种材料是典型的半导体材料?
A.铜
B.硅
C.氧气
D.铅
(答题括号:_______)
2.以下哪个不是微电子学中常用的掺杂元素?
A.氮
B.磷
C.钠
D.硼
(答题括号:_______)
3.在N型半导体中,主要的载流子是?
A.空穴
B.电子
C.离子
D.原子
(答题括号:_______)
4.P-N结在正向偏置时,以下哪项描述是正确的?
A.N区的电子向P区流动
B.P区的空穴向N区流动
C.两种载流子的流动方向相同
D.以上都不对
(答题括号:_______)
5.以下哪种类型的晶体管主要应用于数字电路?
A.JFET
B.MOSFET
C.IGBT
D.BJT
(答题括号:_______)
6.在MOSFET中,哪个区域被称为“沟道”?
A.源区
B.漏区
C.栅区
D.主体区
(答题括号:_______)
7.以下哪个参数决定了MOS电容的电容值?
A.氧化层厚度
B.栅电压
C.主体掺杂浓度
D.漏电流
(答题括号:_______)
8.在数字电路中,逻辑“0”的电平通常是?
A.高电平
B.低电平
C.任意电平
D.不能确定
(答题括号:_______)
9.CMOS电路具有哪些特点?
A.高功耗
B.低噪声
C.单极性工作
D.所有以上特点
(答题括号:_______)
10.以下哪种类型的集成电路是利用光刻技术进行制造的?
A.TTL
B.CMOS
C.BiCMOS
D.所有以上都是
(答题括号:_______)
11.微电子学中,哪一项技术可以用来制作超大规模集成电路?
A.精细蚀刻
B.光刻
C.离子注入
D.射频蚀刻
(答题括号:_______)
12.在集成电路设计中,以下哪种单元通常被用来实现逻辑“与”的功能?
A.NOT门
B.OR门
C.NAND门
D.NOR门
(答题括号:_______)
13.以下哪种类型的存储器是非易失性的?
A.SRAM
B.DRAM
C.ROM
D.EEPROM
(答题括号:_______)
14.在微处理器设计中,哪个部分负责指令的解码?
A.算术逻辑单元(ALU)
B.控制单元
C.寄存器组
D.缓存
(答题括号:_______)
15.以下哪种技术常用于微电子学中的高温退火过程?
A.真空退火
B.气相退火
C.激光退火
D.湿法退火
(答题括号:_______)
第二部分多选题(本题共15小题,每小题2分,共30分.在每小题给出的四个选项中,至少有一项是符合题目要求的)
1.以下哪些是微电子学中常见的半导体材料?
A.硅
B.锗
C.砷化镓
D.铜
(答题括号:_______)
2.微电子器件制造过程中,以下哪些步骤属于热处理过程?
A.离子注入
B.退火
C.光刻
D.化学气相沉积
(答题括号:_______)
3.以下哪些是MOSFET的优点?
A.输入阻抗高
B.驱动能力强
C.制造工艺简单
D.功耗低
(答题括号:_______)
4.以下哪些是数字电路中的基本逻辑门?
A.与门
B.或门
C.非门
D.异或门
(答题括号:_______)
5.以下哪些因素会影响CMOS电路的功耗?
A.供电电压
B.工作频率
C.电路设计
D.环境温度
(答题括号:_______)
6.以下哪些存储器属于易失性存储器?
A.SRAM
B.DRAM
C.ROM
D.Flash
(答题括号:_______)
7.以下哪些是集成电路设计中的常见设计规则?
A.电流密度限制
B.电源线间距限制
C.信号线间距限制
D.所有以上都是
(答题括号:_______)
8.以下哪些技术可以用于微电子器件的互连?
A.铝互连
B.铜互连
C.硅通孔(TSV)
D.金互连
(答题括号:_______)
9.以下哪些是微处理器的组成部分?
A.算术逻辑单元(ALU)
B.控制单元
C.寄存器组
D.输入/输出接口
(答题括号:_______)
10.以下哪些现象可能导致半导体器件失效?
A.热载流子注入
B.介质击穿
C.金属化腐蚀
D.所有以上都是
(答题括号:_______
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