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摘要

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摘要

某某问题是…….

本文 本研究得到某某基金（编号：

本研究得到某某基金（编号：XXX）资助。如涉及到导师信息，请以*字代替。

研究表明…….

中文摘要正反面不超过1页。

中文摘要需奇数页另起

关键词：关键词1，关键词2，关键词3……关键词要置底

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Abstract

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TITLEfont:Arial

在环境经济学中，包括环境质量在内的环境资源被视为舒适资源。由于其对人类福祉的重要性，舒适资源的理论研究和价值评估一直是环境经济学领域学术前沿的持续议题。

英文摘要正反面不超过1页。

英文摘要需奇数页另起。

KEYWORDS:Keyword1,Keyword2,Keyword3,……关键词要置底

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目录

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目录

TOC\z\o1-3\u\h版权声明 3

摘要 I

第一章引言 1

1.1Ⅲ族氮化物（GaN基半导体）材料的基本性质 1

1.1.1Ⅲ族氮化物半导体的晶体结构 1

第二章图表示例 3

第三章格式详细要求 5

3.1封面 5

3.2版权声明 5

3.3中文摘要 5

3.4英文摘要 6

3.5目录 6

3.6主要符号对照表 6

3.7正文 7

3.7.1标题 7

3.7.2段落文字 7

3.7.3脚注 7

3.7.4有关图表和表达式 8

3.8参考文献 9

3.9附录 9

3.10致谢、原创性声明和授权使用说明 10

3.11页面设置 10

3.12打印和装订要求 10

参考文献 13

附录A附录示例 15

常见的论文格式错误： 15

科研成果 17

目录需奇数页另起

注：目录从第1章开始

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第一章引言

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第一章引言

自20世纪50年代末集成电路诞生以来，固体电子器件在高速、低能耗和高存储密度的要求下，不断经历着小型化和集成度的迅速提升。半导体集成电路在近几十年的发展中，受到摩尔定律“大约每18个月芯片的集成度增加一倍”的启示，硅基微电子芯片的特征线宽已经从Intel第一代处理器的10μm缩小到了2011年应用于第三代Core处理器的22nm[1,2],目前正朝着14nm工艺迈进。

随着器件尺寸的减小，尺寸限制所带来的量子效应也日益显著。当器件尺寸达到与电子费米波长相当的长度时，离散能级以及干涉、隧穿等量子效应将对器件中的电子输运产生决定性影响。这些小尺度下的新现象和新效应既是对传统半导体器件的挑战，也为开发新型器件提供了机遇。如何突破传统器件的设计思路，利用这些量子效应实现更高效、低能耗的计算，已成为物理学研究的一个热点[3-5]。

……….

1.1Ⅲ族氮化物（GaN基半导体）材料的基本性质

Ⅲ族氮化物是一类具有宽带隙、强极化和铁电性的半导体材料。常见的Ⅲ族氮化物如AlN、GaN和InN都是直接带隙半导体……

………….

………….

1.1.1Ⅲ族氮化物半导体的晶体结构

………….

第一章需奇数页另起。

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第二章图表示例

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第二章图表示例

图3.15全球NAT-CO2-200