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多栅极低阻SOILDMOS的仿真分析电子科学与技术〔微电子技术〕2011级本科03班关泉帅答辩人：李俊宏副教授导师：
目录选题背景及意义1现状与研究目标2研究方法及过程3关键技术与实践难点4研究结果与分析5论文总结62
选题背景及意义功率半导体器件是进行功率处理的半导体器件，功率集成电路一般将其分为SPIC和HVIC。1LDMOS由于器件的漏极、源极和栅极都在芯片的外表，易于通过内部连接与低压信号电路集成。SOILDMOS制造在埋氧化层(BOX)上，可以消除体硅LDMOS器件中PN结的泄漏电流，减小寄生结电容，提高了器件的速度和增益。3
1.选题背景及意义SOILDMOS由于其与标准CMOS工艺的兼容性，高速，改善的隔离以及低的泄漏电流，使其已经成为最常用的功率器件。我们希望单个的SOILDMOS能具有更高的击穿电压，更低的导通电阻和更大的峰值跨导。SOILDMOS4
目标与研究现状25
研究方法及过程TITLETMAMEDICIExample1-1.5MicronN-ChannelMOSFETCOMMENTSpecifyarectangularmeshMESHSMOOTH=1X.MESHWIDTH=3.0H1=0.125Y.MESHN=1L=-0.025Y.MESHN=3L=0.Y.MESHDEPTH=1.0H1=0.125Y.MESHDEPTH=1.0H1=0.250COMMENTEliminatesomeunnecessarysubstratenodesELIMINCOLUMNSY.MIN=1.1SPREADLEFTWIDTH=.625UP=1LO=3THICK=.1ENC=2SPREADRIGHTWIDTH=.625UP=1LO=3THICK=.1ENC=2SPREADLEFTWIDTH=100UP=3LO=4Y.LO=0.125REGIONSILICONREGIONOXIDEIY.MAX=3ELECTRNAME=GateX.MIN=0.625X.MAX=2.375TOPELECTRNAME=SubstrateBOTTOM3ELECTRNAME=SourceX.MAX=0.5IY.MAX=3ELECTRNAME=DrainX.MIN=2.5IY.MAX=3PROFILEP-TYPEN.PEAK=3E15UNIFORMPROFILEP-TYPEN.PEAK=2E16Y.CHAR=.25PROFILEN-TYPEN.PEAK=2E20Y.JUNC=.34X.MIN=0.0WIDTH=.5XY.RAT=.75PROFILEN-TYPEN.PEAK=2E20Y.JUNC=.34X.MIN=2.5WIDTH=.5XY.RAT=.75INTERFACQF=1E10PLOT.2DGRIDTITLE=Example1-InitialGridFILLSCALE6
3.研究方法及过程REGRIDDOPINGIGNORE=OXIDERATIO=2SMOOTH=1PLOT.2DGRIDTITLE=Example1-DopingRegridFILLSCALECONTACTNAME=GateN.POLYMODELSCONMOBFLDMOBSRFMOB2SYMBCARRIERS=0METHODICCGDAMPEDSOLVEREGRIDPOTENIGNORE=OXIDERATIO=.2MAX=1SMOOTH=1PLOT.2DGRIDTITLE=Example1-PotentialRegridFILLSCALEPLOT.1DDOPINGX.START=.25X.END=.25Y.START=0Y.END=2Y.LOGPOINTSBOT=1E15TOP=1E21COLOR=2TITLE=Example1-SourceImpurityProfile7
3.研究方法及过程PLOT.1DDOPINGX.START=1.5X.END=1.5Y.START=0Y.END=2Y.LOGPO
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