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4.3主教材习题解析
4.1说明1M×l位DRAM片子的刷新方法,刷新周期定为8ms。
解:1M×l位DRAM片子的组织为1024×1024,(1024行1024列),每次刷新2048单元,
在一个刷新周期内刷新512次,每次刷新间隔为8ms/512=15.625微秒,即每隔15.625微
秒刷新2行,在不到8ms时间全部刷新一遍(即刷新周期定为8ms)。刷新时,送9位行地址
A8~A0,行地址选通信号RAS#=L,写信号WE#=H(刷新是假读)
4.2用16k×8位的DRAM芯片构成64K×32位的存储器:
画出该存储器的组成逻辑框图
解:
采用字位扩展法,4片16k×8位芯片组成一组为位扩展,形成32位字
共用4组字扩展,构成64k×32的存储器。
4.3设有一个具有20位地址和32位字长的存储器,求
(1)该存储器能存储多少个字节的信息?
(2)若存储器由512k×8位SRAM芯片组成,需要多少片?
(3)需要多少位地址作芯片选择?
20
解:(1)2×32/8=4MB
(2)4MB/512k×8位=8片,2片构成1MB,4MB需4组
(3)2片构成1MB,4MB需4组,用2位地址作芯片选择。
4.4.用下列芯片构成存储系统,各需要多少个RAM芯片?需要多少位地址作为片外地址译
码?设系统为20位地址线,采用全译码方式。
1
(1)512×4位RAM构成16KB的存储系统;
(2)1024×1位RAM构成128KB的存储系统;
(3)2K×4位RAM构成64KB的存储系统;
(4)64K×1位RAM构成256KB的存储系统;
解:1)需要16KB/512×4=64片
片外地址译码需11位地址线。
2)需要128KB/1K×1=1024片
片外地址译码需10位地址线。
3)需要64KB/2K×4=64片
片外地址译码需9位地址线。
4)需要256KB/64K×1位=32片
片外地址译码需4位地址线。
4.5现有一种存储芯片容量为512×4位,若要用它组成4KB的存储容量,需多少这样的存
储芯片?每块芯片需多少寻址线?而4KB存储系统最少需多少寻址线?
解:4KB/512×4b=16,需要16片
每片芯片需9条寻址线
4KB存储系统最少需12条寻址线
4.6.何为位扩展?何为字扩展?并举例说明。
解:若每个存储芯片只有1条数据线D,8个存储芯片的数据线分别同CPU的数据线D0~D7
相连,CPU发出16位地址,同时选中8个存储片的同一地址单元,各提供1位数据,形成
1个字节的信息供CPU读写(这就是“位扩展”);
同样,若每个存储芯片只有2条数据线D1,D0,4个存储芯片的数据线分别同CPU的数
据线D0D1,D2D3,D4D5,和D6D7相连,CPU发出16位地址,同时选中4个存储片的同一
地址单元,各提供2位数据,形成1个字节的信息供CPU读写;
若每个存储芯片各有4条数据线D3,D2,D1,D0,2个存储芯片的数据线分别同CPU的数
据线D3D2D1D0,和D6D7D4D5,相连,CPU发出16位地址,同时选中1个存储片的同一地址
单元,各提供4位数据,形成1个字节的信息供CPU读写。
这都是“位扩展”。
每个存储芯片提供字信息,设字信息为8位,每个芯片可提供64K×8位——64K字,8
个存储芯片构成8×64K字,把存储字
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