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KDK-KDY-1低阻型四探针检测仪方阻仪四探针电阻率检测仪采用GBT1552-1995

仪器采用GB/T1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

（2）范围：电阻率10-5～10+3欧姆·厘米，分辨率为10-5欧姆·厘米

方块电阻10-4～10+4欧姆/□，最小分辨率为10-4欧姆/□

（3）可测量材料：半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等

可准确测量的半导体尺寸：直径≥20㎜

可测量的半导体尺寸：直径≥8㎜

（4）测量方式：平面测量。

（5）电压表：双数字电压表，可同时观察电流、电压变化

A.量程0~19.999mV

B.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)

C.灵敏度：1uV

D输入阻抗﹥1000MΩ

E41/2位数字显示，0～19999

（6）恒流源：

A.电流输出：直流电流0.003～100mA连续可调，有交流电源供给

B.量程：10uA，100uA，1mA，10mA，100mA五档

C.恒流源精度：各档均≤±0.05%

（7）四探针测试探头

A.探头间距1.59㎜

B.探针机械游率：±0.3%

C.探针直径0.8㎜

D.探针材料：碳化钨，探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。

（8）测试架：（选配）

手动测试架：KDJ-1A型手动测试架探头上下由手动操作，可以用作断面单晶棒和硅片测试，探针头可上下移动距离：120mm，测试台面200x200(mm)。

（9）精度

电器精度：1-1000欧姆≤0.3%

整机测量精度：1-100欧姆·厘米≤3%

（10）电流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W

注：如果测金属粉末电阻率把样品压成块或片才能测