原创力文档- 1、本文档共23页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
具有超疏水外表的硅/二氧化硅层次结构薄膜
;硅基材料的超疏水外表的制备方法;超疏水硅基薄膜;超疏水外表的主要制备途径;用CVD方法合成的具有超疏水外表的硅基薄膜结构的特点和优势;实验局部;超疏水硅基薄膜结构的合成步骤
;
;以下图a，b分别为所制备的薄膜外表的俯视和侧视SEM照片;以下图c为构成薄膜外表的单根线的TEM照片,图2c中的插图(左上)为位于单根线状结构壳层的辐射状纳米线(白色虚线圆圈处组成成分的EDX谱图,EDX结果说明壳层纳米线由Si和O两种元素组成(谱图中Cu元素来自于负载样品的铜网),其中O/Si原子个数比约为2,壳层纳米线的选区电子衍射(SAED)(图2c右下插图)说明该纳米线为非晶SiO2;;;;图4为硅基薄膜结构的示意图;;;;;硅基薄膜结构外表的亲疏水性的变化的原因;Cassie理论对上述原因的解释;;实验结果;结论
文档评论（0）