3C-SiC插入层对硅基GaN-LEDs性能改善研究.doc

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2024-08-04 发布于湖北
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3C-SiC插入层对硅基GaN-LEDs性能改善研究

摘要

随着时代的发展，以LED为代表的光源具有环保、节能、高效、使用寿命长等特点并且能在恶劣条件时保持良好的状态作为目前通用发光源的首选。

大部分光发二极管LED都在Si衬底上生长因为Si衬底一直存在诸多优势：制造成本低、大尺寸、良好的导热率和高度集成的潜力等。但是在此条件之上，氮化镓外延层生长存在的缺陷同样不可忽视如高失配的晶格常数，外延层与衬底之间多于一半的热膨胀系数差异。因此具有更大禁带宽度的化合物半导体3C-SiC明显占据更大优势。加入插入层3C-SiC即Inter-layer（IL）层后，GaN层的结晶