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BSIM4ImprovementstoBSIM3
Gateinduceddrainleakage(GIDL)currentmodel
Accurategatetunnelingcurrentmodel
VTHmodelforpocketimplantation(HALO)/retrograde
technology
Moreaccuratemobilitymodel
Bothinternalandexternalbias-dependantdrainandsource
resistance
Junctiondiodebreakdown
Betterdescriptionofhigh-frequencybehavior
–ImprovedNon-Quasi-Static(NQS)model
–IntrinsicRgatemodel
–Flexiblebuilt-insubstrateresistancenetwork
–Improvedthermalnoisemodel
Layout-dependantparasiticmodel
2/Accelicon
RoadofBSIM4Development
BSIM4.0.0firstreleasedon03/2000.
BSIM4.1.0:BugfixesandananalyticalequationforPIwhenitis
notspecified.
BSIM4.2.0:BugfixesandtwonerametersXL,XW(geometry
offsetparametersduetomask/etcheffect).
BSIM4.2.1:Bugfixes;Codecleaneduptobemoreefficient;Gate
InducedSourceLeakage(GISL)isadded,resultinanenormous
improvementinsimulationconvergence.
BSIM4.3.0:Toaddressseveralnewissuesinmodelingsub-0.13
micronCMOStechnologyandRFhigh-speedCMOScircuitsimulation
–Anewscalablestresseffectmodelforprocessinducedstresseffect.
–Aunifiedcurrent-saturationmodelthatincludesallmechanismsofcurrent
saturation.
–Anewtemperaturemodelformatthatallowsconvenientpredictionof
temperatureeffectsonsaturationvelocity,mobility,andS/Dresistances.
–Enhancedaccuracyandflexibilityofholisticthermalnoisemodel
–Improvedaccuracyofforwardbodybiasmodel.
–Extensionofgatedirecttunnelingmodeltomultiple-layergatedielectrics.
3/Accelicon
RoadofBSIM4Development(Contd.)
BSIM4.4.0:toaddresstrap-assistedtunnelingand
recombinationcurrentthatoccursatreversebiased
P-Njunctionwherethedopingon
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