半导体器件 第16-6部分：微波集成电路 倍频器 征求意见稿.docx

GB/TXXXXX—XXXX/IEC60747-16-6:2019

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半导体器件

第16-6部分：微波集成电路倍频器

1范围

本文件规定了微波集成电路倍频器的术语，基本额定值、特性以及测量方法。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

IEC60617(所有部分)简图用图形符号（Graphicalsymbolsfordiagrams）注：GB/T4728（所有部分）电气简图用图形符号[IEC60617（所有部分）]

IEC60747-1:2006半导体器件第1部分：总则（Semiconductordevices–Prat1:General）IEC60747-1:2006/AMD1:2010

IEC60747-4半导体器件分立器件第4部分：微波二极管和晶体管(Semiconductordevices–Discretedevices–Part4:Microwavediodesandtransistors)

注：GB/T20516-2006半导体器件分立器件第4部分：微波器件(IEC60747-4:2001,IDT)

IEC60747-16-3:2002半导体器件第16-3部分：微波集成电路变频器(Semiconductordevices–Prat16-3:Microwaveintegratedcircuits–Frequencyconverters)

IEC60747-16-3:2002/AMD1:2009IEC60747-16-3:2002/AMD2:2017

IEC61340-5-1静电学第5-1部分：电子器件的静电防护通用要求（Electrostatics–Part5-1:Protectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena–Generalrequirements)

IECTR61340-5-2静电学第5-2部分：电子器件的静电防护用户手册（Electrostatics–Part5-2:Protectionofelectronicdevicesfromelectrostaticphenomena–Userguide）

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

输出频率outputfrequency

fo

输出频率等于输入频率乘以倍频因子N，其中N为整数。

3.2

输出功率outputpower

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2

Po

输出功率是输出端口在输出频率处测量到的射频功率。

3.3

变频增益conversiongain

Gc

变频增益是输出功率与输入功率的比值。

3.4

输入回波损耗inputreturnloss

Lret(in)

输入回波损耗是输入端口处的输入功率与输入端口处的反射功率的比值。

3.5

输出回波损耗outputreturnloss

Lret(out)

输出回波损耗是输出端口处输入功率与输出端口处反射功率的比值。

3.6

基波隔离度fundamentalisolation

PoP1

输出端在输入频率下的输出功率与基波功率的比值。

3.7

n阶谐波隔离度n-thorderharmonicisolation

PoPnth

输出端在输入频率下的输出功率与n阶谐波功率的比值。

3.8

相位噪声phasenoise

L(f)

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一个输出端的短时频率稳定性的频率域度量。

注1：此处的相位噪声通常表示为相位波动的功率谱密度，Sφ(f)，此处相位波动函数φ(t)=2πFt?2πF0t。相位波动的谱密度与频率波动谱密度的关系如下式：

式中：

F——输出频率；

F0——平均输出频率；f——傅里叶频率。

注2：L(f)的发声是“script-elloff”。

[来源：IEC60050-561:2014,561-03-22，修改——增加了一个符号和注释2。“振荡器”被替换成“输出端”。]

4基本额定值和特性

4.1总则

a)电路识别与类型

应给出型号识别（器件名称）、电路类型和采用的技术。微波倍频器包含一