封装流程介绍.pptVIP

WaferGrinding减薄（Backgrind）是指在封装之前，将晶圆的背面研磨使晶圆达到一个合适的厚度。这一步并不是必需的。但是，目前由于芯片有越做越薄的趋势，所以，基本上不可缺少。但是，有些晶圆在出厂前就已经减薄了，把这一步提前了。在封装工厂就不必有这一流程。???通常减薄后，晶圆的厚度会达到8mils-20mils。（这里注意，由于历史的原因，半导体行业习惯用英制的单位。通常我们说的8吋，12吋的晶圆，也是英制）。???在减薄之前，我们通常会将晶圆清洗，然后在正面贴上保护兰膜。以防止在研磨过程中对晶圆造成污染或者机械的损伤。在做好准备之后，晶圆被放进研磨机，整个的上下料过程都是由机械手来完成的。研磨过程也是完全的自动控制，保证研磨能够达到一个理想的精度。???在研磨的过程中，需要持续地注入D/I水，也就是去离子水。D/I水的作用主要有三个：一是及时地清洗掉研磨产生的硅粉；二是冷却降温，因为研磨过程中晶圆会发热；三是去除研磨过程中产生的静电。???减薄过程中毕竟重要的参数控制包括：研磨头的转速以及给进速度；冷却液的温度和流量；D/I水的温度和流量；晶圆的厚度。DieSaw芯片切割之目的乃是要将前制程加工完成的晶圆上一颗颗之晶粒（Die）切割分离。首先要在晶圆背面贴上胶带（bluetape）并置于钢制之框架上，此一动作叫晶圆粘片（wafermount），而后再送至芯片切割机上进行切割。如图一,切割完后，一颗颗之晶粒井然有序的排列在胶带上，如图二，同时由于框架之支撑可避免胶带皱折而使晶粒互相碰撞，而框架撑住胶带以便于搬运。晶圓切割良率影响因素锯片的选择锯片之转速机台之稳定性晶片之进料速度晶圓之厚度晶片之表面状态冷却剂DieBond/DieAttach粘晶的目的乃是将一颗颗分离的晶粒放置在导线架（leadframe）上并用银胶（epoxy）粘着固定。导线架是提供晶粒一个粘着的位置（晶粒座diepad），并预设有可延伸ＩＣ晶粒电路的延伸脚（分为内引脚及外引脚innerlead/outerlead）一个导线架上依不同的设计可以有数个晶粒座，这数个晶粒座通常排成一列，亦有成矩阵式的多列排法。导线架经传输至定位后，首先要在晶粒座预定粘着晶粒的位置上点上银胶（此一动作称为点胶），然后移至下一位置将晶粒置放其上。而经过切割之晶圆上之晶粒则由取放臂一颗一颗地置放在已点胶之晶粒座上。粘晶完后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内。WireBond焊线的目的是将晶粒上的接点以极细的焊线（15~75um）连接到导线架上之内引脚，藉而将ＩＣ晶粒之电路讯号传输到外界。当导线架从弹匣内传送至定位后，应用电子影像处理技术来确定晶粒上各个接点以及每一接点所相对应之内引脚上之接点的位置，然后做焊线之动作。焊线时，以晶粒上之接点为第一焊点，内接脚上之接点为第二焊点。首先将金线之端点烧结成小球，而后将小球压焊在第一焊点上（此称为第一焊，firstbond）。接着依设计好之路径拉金线，最后将金线压焊在第二焊点上（此称为第二焊，secondbond），同时并拉断第二焊点与钢嘴间之金线，而完成一条金线之焊线动作。接着便又结成小球开始下一条金线之焊线动作。焊线的方式通常利用热压、超音波、或兩者合用金属直径15到75μm材料：鋁/金/铜为主超音波热压焊出現的問題1.材料的考慮：包括焊接表面上的有机和无机污染，表面的干净程度会影响焊接的可靠性.2.压焊制程的作业方式：材料是否正确地送入机器，书写及编入的压焊程式是否正确.Mold封胶之目的有以下数点：１、防止湿气等由外部侵入。２、以机械方式支持导线。３、有效地将内部产生之热排出于外部。４、提供能够手持之形体。封胶之过程比较单纯，首先将焊线完成之导线架置放于框架上并先行预热，再将框架置于压模机（moldpress）上的封装模上，此时预热好的树脂亦准备好投入封装模上之树脂进料口。激活机器后，压模机压下，封闭上下模再将半溶化后之树脂挤入模中，待树脂充填硬化后，开模取出成品。封胶完成后的成品，可以看到在每一条导线架上之每一颗晶粒包覆着坚固之外壳，并伸出外引脚互相串联在一起。Mark印字的目的，在注明商品之规格及制造者。良好的印字令人有高尚产品之感觉。因此在ＩＣ封装过程中亦是相当重要的，往往会有因为印字不清晰或字迹断裂而遭致退货重新印字的情形。印字的方式有下列几种：１、印式：直接像印章一样印字在胶体上。２、转印式（padprint）：使用转印头，从字模上沾印再印字在胶体上。３、雷射刻印方式（lasermark）：使用雷射直接在胶体