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ICS31.080.30
L42
备案号:
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T1472—2016
代替SJ/T1472-1979
半导体分立器件
3CG110型硅PNP高频小功率晶体管
详细规范
Semiconductordiscretedevices
Detailspecificationfortype3CG110highfrequencylowpowerPNPsilicon
transistor
2016-04-05发布2016-09-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
I
SJ/T1472—2016
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替SJ/T1472—1979。与SJ/T1472—1979相比,本标准主要技术变化如下:
——本标准依据GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》。——本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。
——原标准3CG110型PNP硅外延平面二极管规范表中共基极输出电容测试条件5MHz,本标准表2电特性5.15中共基极输出电容测试条件改为1M
——本标准增加了极限值参数VcBb见4.3)和电特性参数高温下的截止电流IcBo2(见5.8),IcBO? (新版见5.7,旧版见scG10型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由Vcg=-10V改为Vcp=VcBO,/cEa新版见5.7,旧版见3CG110型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由VcE=-10X改为DcEVCEO,IEBo(新版见A2b分组,旧版见3Co10型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由VF-1SV改为Ta--2V,删掉了交流参数Kp和NFK见国版3CG110型PNP硅外延平面合极管规范表)
请注意本文件的某些内容能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本标准由全国半导体器件标准化技术委员会归口。
本标准起草单位:济南市平导体元件实验所。本标准主要起草人:侯秀萍、卞岩。
本标准于197年首次发布,本次为第一次修订。
II
SJ/T1472—2016
引言
本标准适用于3CG110型硅PNP高频小功率晶体管。本标准按照GB/T6217—1998《半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》制定,符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的要求。
SJ/T1472—2016
半导体分立器件3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
中华人民共和国工业和信息化部
评定器件质量的根据:
GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》
GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》
SJ/T1472—2016
半导体分立器件3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
1外形尺寸
外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》中A3-01B型的要求。
Φ
Da
45
A
Φb
1.发射极!2.基极3.集电极
单位为毫米
2简略说明
高频放人际境额定的双极型晶体管
半导体材料:硅
封装:金属封装(空腔
应用:在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。
3质量评定类别
Ⅱ类
工程数据
Ptot=300ny(TA=25℃)
=50mA
=-200V
V
FE:25~270
/≥100MHz
C?b≤3.5pF
符号
尺寸数值
最小
标称
最大
A
4.32
—
5.33
Φa
——
2.54
Φb
—
——
1.01
Φb?
0.40
—
0.51
ΦD
5.31
5.84
ΦD
4.53
4.95
0.92
1.04
1.16
K
0.51
1.21
L
12.5
—一
25.0
L
—
1.27
2
SJ/T1472—2016
4规范性引用文件
下列文件对于本标准的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本标准。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本标准。
GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件
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