SJ_T 11818.1-2022 半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法.docx

ICS31.260CCSL53

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T11818.1—2022

半导体紫外发射二极管第1部分：测试方法

Semiconductorultravioletemittingdiodes—Part1:Measuringmethods

2022-10-20发布2023-01-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

SJ/T11818.1—2022

目次

前言 I

引言 II

1范围 1

2规范性引用文件 1

3术语和定义 1

4测试条件 2

4.1一般要求 2

4.2测试场所 2

4.3环境条件 2

4.4管壳温度 2

4.5工作姿态 2

4.6预热稳定 2

4.7操作要求 3

5测试仪器 3

5.1供电电源 3

5.2电学测试仪器 3

5.3积分球-光谱仪系统 3

5.4测角仪-紫外探头-光谱仪系统 4

6测试步骤 5

6.1一般要求 5

6.2辐射照度 5

6.3辐射强度、辐射强度分布和半强度角 6

6.4辐射通量和辐射效率 6

6.5峰值波长、中心波长和光谱半宽 7

7报告结果 8

7.1一般要求 8

7.2一般信息 8

7.3被测器件信息 8

7.4测试流程信息 9

7.5数据信息 9

8安全防护 9

参考文献 10

I

SJ/T11818.1—2022

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件是SJ/T11818《半导体紫外发射二极管》的第1部分。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国电子技术标准化研究院(CESI)归口。

本文件起草单位：广州赛西标准检测研究院有限公司、深圳赛西信息技术有限公司、鸿利智汇集团

爱军、许子

II

SJ/T11818.1—2022

引言

SJ/T11818《半导体紫外发射二极管》系列标准拟由三个部分构成：——第1部分：测试方法；

——第2部分：芯片规范；——第3部分：器件规范。

SJ/T11818.1—2022

半导体紫外发射二极管第1部分：测试方法

1范围

本文件规定了半导体紫外发射二极管(以下简称器件)辐射度参数测试方法，包括测试条件、测试仪器、测试步骤等。

本文件适用于峰值波长200nm～400nm器件的测试，峰值波长400nm～420nm器件的测试方法

可参照执行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T24824-2009普通明用ED模块测试方法

GB/T26179-2010完源的光谱辐射度测量(CIE63:194IDT)

GB/T37031-2018半导体照明术语

SJ/T/11394—2009半导体发光二极管测试方法

CIE1272007LED测量(MeasurementofLEDs)

3术语和定义

GB7031-2018和sn11394-200界是的以及下列术语和定义适用于件。

3.1

半强度角balfintensityangle

θ??

在辐射图中辐射(或发光)强度等于或大于最大值的一半所对应的夹角见图1)。

光轴Z

光轴

L

机

θ?

图1辐射图及相关特性

2

SJ/T11818.1—2022

注1:单位为度(°)。

注2:半强度角仅适用在被测器件的辐射强度分布中只有一个峰值的情况下。

4测试条件

4.1一般要求

被测器件应在规定的测试条件下采用适用的测试仪器和测试步骤进行测试。测试条件包括测试场所、环境条件、管壳温度、工作姿态、预热稳定、操作要求。测试结果应在规定的测试条件下获取。