- 1、本文档共21页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
ICS31.080.30
L42
备案号:
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T1830—2016
代替SJ/T1830-1981
半导体分立器件
3DK101型NPN硅小功率开关晶体管
详细规范
Semiconductordiscretedevices
DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistor
type3DK101
2016-04-05发布2016-09-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
I
SJ/T1830——2016
前言
本规定按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本规定代替SJ/T1830—1981。与SJ/T1830—1981相比,本规定主要技术变化如下:——本规定外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准。
——原标准开关参数ts(载流子贮存时间)和t(下降时间)在本规定中合并为tor(关断时间),
II
SJ/T1830—2016
引言
本规范适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规范按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定,符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。
1
SJ/T1830—2016
半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
本规定适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管。本规定按照GB/T6218—1996《开关用双极型晶体管空白详细规范》制定,符合GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》的规定。
2
SJ/T1830—2016
中华人民共和国工业和信息化部
评定器件质量的根据:
GB/T4589.1—2006《半导体器件第10部分:
分立器件和集成电路总规范》GB/T12560—1999《半导体器件分立器件分规范》
SJ/T1830—2016
半导体分立器件3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
1外形尺寸
外形符合GB/T7581—1987《半导体分立器件外形尺寸》中A3-01B型的规定。
2简略说明
开关用环境额定的双极型晶体管半导体材料:硅
封装:金属封装(空腔)
应用:在各种电路中作开关及高频放大与振荡用。
ΦD
ΦD
Φa
①
Qps@x
云p0.500
Φ0
Φb
45
O
3质量评定类别
Ⅱ类
参考数据(T=25℃)
Pto=200mWIc=40mA
Vcao=30V(3DK101A、B)VcBo=20V(3DK101C)
VcEo=20V(3DK101A)VCEo=25V(3DK101B)VcEo=15V(3DK101C)
VEBo=4V
f≥300MHhFE:25~180
1.发射极2.基极3.集电极
单位为毫米
符号
尺寸数值
最小
标称
最大
A
4.32
一
5.33
Φa
2.54
Φb
1.01
Φb?
0.40
0.51
ΦD
5.31
5.84
ΦD
4.53
4.95
j
0.92
1.04
1.16
K
0.51
1.21
L
12.5
25.0
L
—
1.27
3
SJ/T1830—2016
4规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T2423.23—2013环境试验第2部分:试验方法试验Q:密封
GB/T4587—1994半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T4589.1—2006半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范
GB/T4937—1995
半导体器件机械和气候试验方法
GB/T6218—1996
开关用双极型晶体管空白详细规范
GB/T7581—1987
半导体分立器件外形尺寸
GB/T12560-1999半导体器件分立器件分规范
5极限值(绝对最大额定值)
极限值见表1。除非实对规定,这些极限值在整个工作温度范围内适。极限值
条款
号
参
符号
数
单位
最小值
最大值
4.1
工作环境温度
Tab
55
您可能关注的文档
- SN∕T 4481-2016 生态原产地产品保护评定通则.docx
- SJ∕T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范.docx
- SJ_T 11763-2020 半导体制造设备人机界面规范.docx
- SJ∕T 9014.8.2-2018 半导体器件 分立器件 第8-2部分:超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范.docx
- JTS 105-1-2011 港口建设项目环境影响评价规范.docx
- SJ_T 11874-2022 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序.docx
- SJ∕T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法.docx
- SJ_T 11866-2022 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范.docx
- SJ∕T 11586-2016 半导体器件10keV低能X射线总剂量辐射试验方法.docx
- SJ∕T 11702-2018 半导体集成电路串行外设接口测试方法.docx
文档评论(0)