SJ∕T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率.docxVIP

ICS31.080L53

备案号：52033-2015

中华人民共和国电子行业标准

SJ/T2658.6—2015

代替SJ/T2658.6—1986

半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率

Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part6:Radiantpower

2015-10-10发布2016-04-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布

I

SJ/T2658.6—2015

前言

SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则；

第2部分：正向电压；

——补充了采用暗箱法测量脉冲辐射功率的规定条件(见6.1.3);

——增加了采用积分球法测量直流辐射功率的测量原理图(见图2)、测量步骤(见5.2.2)以及规定条件(见5.2.3);

——增加了采用积分球法测量脉冲辐射功率的测量原理图(见图4)、测量步骤(见6.2.2)以及规定条件(见6.2.3)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为：——SJ/T2658.6—1986。

SJ/T2658.6—2015

半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率

1范围

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件

GB/T2900.65—2004电工术语：照明

SJ/T2658.1导体红外发射二极管测量方法第1部分：愿则

3术语和定义

GB/T2900.65-2004界定的队及下列术语和定义活用丁本文件。3.1

直流辐射功率deetcurrentradiantpower

在规定的正向直流电流作用下，器件所发出的光功率。3.2

脉冲辐射功率pulseradiantpower

在规定幅度、频率和占空比的矩形脉冲电流作用下，器件所发出的光功率。

4一般要求

测量辐射功率的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。

5直流辐射功率的测量

5.1方法I——暗箱法

5.1.1测量原理图

采用暗箱法测量直流辐射功率的原理图见图1。

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说明：

DUT被测器件；G恒流源；A电流表。

a探测系统探测头的有效接收面积应大于其所接收的器件发射光斑面积。

图1暗箱法测量直流辐射功率的原理图

5.1.2测量步骤

采用暗箱法测量直流辐射功率按下列步骤进行：

a)按图1连接测量系统，将被测器件与探测系统的探测头放入同一暗箱中，探测头的接收面应与被测器件的发光面互相平行并尽量靠近，且被测器件所发射的光斑要全部落在探测头的有效接收区域内；

b)调节恒流源，使正向电流I为规定值，读取探测系统示数后得到被测器件的直流辐射功率值。

5.1.3规定条件

有关标准采用本方法时，应规定以下条件：

a)环境温度；

b)正向电流IF。

5.2方法Ⅱ——积分球法

5.2.1测量原理图

采用积分球法测量直流辐射功率的原理图见图2。

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积分球“

A

探测头

DUT

Ip

指示用电表

探测系统

遮光屏

G十

说明：

DUT被测器件；G恒流源；A电流表。

注：被测器件发射的光辐射经积分球壁多次反射，在球壁产生与辐射功率成比例的均匀光；探测系统的探测头位于积分球内壁测量光辐射；遮光屏为探测器屏蔽了来自被测器件的直接辐射；

被测器件、遮光屏以及探测系统的探测头与积分球相比，表面积应该小很多；球内壁和遮光屏表面应有一层高均匀度、高反射系数(不小于0.8)的漫反射镀层；球和探测器组合应该校准，应该考虑到峰值发射波长和辐射功率由于