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ICS31.080.30CCSL42
中华人民共和国电子行业标准
SJ/T11850—2022
半导体分立器件
3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型
NPN硅小功率开关晶体管详细规范
Semiconductordiscretedevices
DetailspecificationforsiliconNPNlowpowerswitchingtransistorof3DK2219A,3DK2222Aand3DK2222AUB
2022-10-20发布2023-01-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
SJ/T11850—2022
前言
本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口。
本文件起草单位:石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术研究所。
1
SJ/T11850—2022
半导体分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范
1范围
本文件规定了3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管(以下简称器件)的详细要求。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(偷括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T2423.23)-2013环境试验第2部分:试验方法试验Q:密封
GB/T4581994半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
GB/T4589.1-2006半导体器件一第10部分:分立器件和集成电路总规范GB/T4937—)995半导体器件机械和气候试验方法
GB/T493714-2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分:引出端强度(引线牢固度)
GBt4937.15-2018半导体器件一机械和气候试验方法第15部分:通孔安装器件的耐焊接热GBT4087.21—2018半导体器件机械和气候试验方法第21部分:焊性
GB/7684-1987半导体分立器件外形尺寸
GB/Te560+1999半导体器件分立器件分规范
3术语和定义
本文件没有要定的术语和定义。
4要求
4.1总则
器件应符合本文件的所有规定
质量评定类别符合GB/T4589.12006和GBT12560-1999的规定。质量评定类别为Ⅱ类。
4.2设计、结构和外形尺寸
4.2.1器件设计、结构
芯片采用硅外延平面结构,封装采用金属气密式封装。
4.2.2外形尺寸
3DK2219A外形符合GB/T7581—1987中A3—02B型的规定。外形图见图1,外形尺寸见表1。
2
SJ/T11850—2022
1.发射极,2.基极,3.集电极
图13DK2219A外形图表13DK2219A外形尺寸
单位为毫米
符号
尺寸数值
最小
标称
最大
A
6.10
6.58
Φa
5.08
Φb
1.01
Φb?
0.407
0.508
φD
8.64
9.65
φD
8.01
8.50
j
0.712
0.787
0.863
K
0.64
1.14
L
12.50
25.00
L
1.27
3DK2222A外形符合GB/T7581—1987中A3—01B型的规定。外形图见图2,外形尺寸见表2.
1.发射极,2.基极,3.集电极
SJ/T11850—2022
图2外形图表2外形尺寸
单位为毫米
符号
尺寸数值
标
称
最大
5.33
Φd
2.
9
Φb
1.01
Rb?
0.51
2
5.84
ΦD
53
4.95
2
1.16
K
1.21
12.50
25.00
L
1.27
3DK222AUB外形附见图。外形尺寸见表3。
L1
1.基极,2.发射极,3.集电极,4.与盖板相连
图3
3DK2222AUB外形图
3
4
SJ/T11850—2022
表33DK2222AUB外形尺寸
单位为毫米
符号
尺寸数值
最小
标称
最大
D
2.92
3.25
E
2.16
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