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Jpn.J.Appl.Phys.Vol.39(2000)pp.L351–L353
Part2,No.4B,15April2000
c2000TheJapanSocietyofAppliedPhysics
ElectricalCharacteristicsofSchottkyContactsonGaNandAl011Ga089N
SubramaniamARULKUMARAN,TakashiEGAWA,Guang-YuanZHAO1,HiroyasuISHIKAWA,
TakashiJIMBO2andMasayoshiUMENO
ResearchCenterforMicro-StructureDevices,NagoyaInstituteofTechnology,Gokiso-cho,Showa-ku,Nagoya466-8555,Japan
1VentureBusinessLaboratory,NagoyaInstituteofTechnology,Gokiso-cho,Showa-ku,Nagoya466-8555,Japan
2DepartmentofEnvironmentalTechnologyandUrbanPlanning,NagoyaInstituteofTechnology,
Gokiso-cho,Showa-ku,Nagoya466-8555,Japan
(ReceivedJanuary24,2000;acceptedforpublicationMarch15,2000)
TheelectricalcharacteristicsofAg,Ti,Au,PdandNiSchottkycontactsonGaNandAl011Ga089Ngrownbymetalorganic
chemicalvapourdeposition(MOCVD)onsapphiresubstrateshavebeeninvestigated.Al011Ga089NSchottkybarrierheight
valuesarebithigherthanthevaluesofGaNcontactceptTiSchottkycontacts.Fermi-levelpinninghasbeenobservedfor
bothGaNandAl011Ga089NSchottkycontacts.ThepinningdegreeofGaNandAl011Ga089NaremuchlessthanGaAs,Siand
GaP,butbothofthemmaybesimilartoCdS.
KEYWORDS:GaN,AlGaN,Schottkydiode,barrierheight,Fermi-levelpinning
ThestudyofSchottkycontactsonAlGaNisofgreatin-tratedHClsolutionfor60secondsandrinsedinDI-water.
terestforthefabricationofhighpowerandhightemper-Electronbeamevaporationwasusedtodepositallthemet-
atureheterojunction(AlGaN/GaN)fieldeffecttransistors,alceptsilver(Ag)toathicknessof100nm.Agwas
BipolartransistorsandModulationDopedFieldEffectTran-evaporatedusingresistiveheatingmethod.Current–voltage
sistors(
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