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部分期schottky contacts and alganGaNAlgan上接触电气.pdfVIP

部分期schottky contacts and alganGaNAlgan上接触电气.pdf

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    Jpn.J.Appl.Phys.Vol.39(2000)pp.L351–L353

    Part2,No.4B,15April2000

    c2000TheJapanSocietyofAppliedPhysics

    ElectricalCharacteristicsofSchottkyContactsonGaNandAl011Ga089N

    SubramaniamARULKUMARAN,TakashiEGAWA,Guang-YuanZHAO1,HiroyasuISHIKAWA,

    TakashiJIMBO2andMasayoshiUMENO

    ResearchCenterforMicro-StructureDevices,NagoyaInstituteofTechnology,Gokiso-cho,Showa-ku,Nagoya466-8555,Japan

    1VentureBusinessLaboratory,NagoyaInstituteofTechnology,Gokiso-cho,Showa-ku,Nagoya466-8555,Japan

    2DepartmentofEnvironmentalTechnologyandUrbanPlanning,NagoyaInstituteofTechnology,

    Gokiso-cho,Showa-ku,Nagoya466-8555,Japan

    (ReceivedJanuary24,2000;acceptedforpublicationMarch15,2000)

    TheelectricalcharacteristicsofAg,Ti,Au,PdandNiSchottkycontactsonGaNandAl011Ga089Ngrownbymetalorganic

    chemicalvapourdeposition(MOCVD)onsapphiresubstrateshavebeeninvestigated.Al011Ga089NSchottkybarrierheight

    valuesarebithigherthanthevaluesofGaNcontactceptTiSchottkycontacts.Fermi-levelpinninghasbeenobservedfor

    bothGaNandAl011Ga089NSchottkycontacts.ThepinningdegreeofGaNandAl011Ga089NaremuchlessthanGaAs,Siand

    GaP,butbothofthemmaybesimilartoCdS.

    KEYWORDS:GaN,AlGaN,Schottkydiode,barrierheight,Fermi-levelpinning

    ThestudyofSchottkycontactsonAlGaNisofgreatin-tratedHClsolutionfor60secondsandrinsedinDI-water.

    terestforthefabricationofhighpowerandhightemper-Electronbeamevaporationwasusedtodepositallthemet-

    atureheterojunction(AlGaN/GaN)fieldeffecttransistors,alceptsilver(Ag)toathicknessof100nm.Agwas

    BipolartransistorsandModulationDopedFieldEffectTran-evaporatedusingresistiveheatingmethod.Current–voltage

    sistors(

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