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研发部AC-DCteam

CoolMOS应用与驱动设计理解

——Leon

一、调研对象

调研对象包括国外大厂商CoolMOS和国内主要的MOS厂商。

1.国外大厂商从优往劣，依次是Infineon、ST、Toshiba等等。其中，Infineon一家独大，

其CoolMOS经历了八代系列产品，一直到最新的C7系列为止。

2.国内厂商了解不多，有NCE、超致、佛山蓝箭、西格玛微电子等。（需详细调研！）

二、InfineonCoolMOS的发展思路

InfineonCoolMOS主要有C1、C3、CP、C6、CFD、CFD2、C7等系列。从发展思路来

看，Trr是改进的核心参数之一。表1所示的规格对比显示，S5、C3、CFD的Trr依次为1000ns、

250ns、50ns。Qg越来越小，有利于半载和轻载效率。

C1（第一代）CFD2（第七代）

C6（第六代）

1998年

2011年

特点：①降低漂移区电阻；2009年

特点：①集成快速体二极管；

②没有双极性电流；特点：C3的costdown版本。

②Qoss低；

③同样Vds条件下，更低的输出电容意Trr偏大。

③Trr更小；

味着更低的开关损耗。

C7（最新）

C2（第二代）CP（第五代）2013年

特点：①开关时间进一步减少；2005年特点：①导通损耗和开关损耗更低；

②di/dt、dv/dt可调节；特点：①超低Rdson，高效率；②功率密度和效率更高；

③栅电阻《1Ω，不随Die面积变化。②超低栅电荷，低开关损耗。③Eoss更小；

④Qg更小

C3（第三代）

2001年CFD（第四代）

特点：①跨导更小；2004年

②饱和电流更大；特点：快速体二极管；

③高脉冲电流和低短路电流。

图1InfineonCoolMOS的发展思路

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