宽禁带半导体ZnO材料的调研课件.pptVIP

半体ZnO的研姓名：导师：

半体的展?20世50年代，以硅材料代表的第一代半体材料取代了笨重的子管，致了以集成路核心的微子工的展和个IT泛用于信息理和自控制等域。?20世90年代，随着移无限通信的速展和以光通信基的信息高速公路和互网的起，第二代半体材料开始起。由于其具有子迁移率高、和漂移速度高等特点，适于制高速和超高速半体器件，目前基本占手机制造器件市。?当前，子器件的使用条件越来越劣，了足未来子器件需，新展起来了第三代半体材料——禁半体材料，材料具有率高、子和速度高、穿高、介常数低等特点。

半体材料的基本特性?阻率?能?原先在不同孤立原子中但具有相同能的多子形成晶体，由于量子效，不能有两个子于相同的它的能量必定彼此开，各自在一个能量略有差异的一子能上，形成能。?禁?根据子的能量分布，在某些能量范内是不有子存在的称之禁，半体的禁度是一个决定学和光学性能的重要参数。

半体的用?元素半体材料?硅：半体集成路，半体器件和硅太阳能池的基材料。?：由于其特有性，用主要集中与制作各种二极管，三极管等。?有机半体材料?有机半体材料具有激活。有机半体芯片等品的生能力差，但是有加工理方便，耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。?非晶半体材料?在工上，非晶半体材料主要用于制像感器，太阳能池薄膜晶体管等非晶体半体器件。?化合物半体材料?如今化合物半体材料已在太阳能池，光器件，超高速器件，微波等域占据重要位置，且不同种具有不同的用。

第三代半体材料zno?Zn0是一种新型的禁半体材料。具有异的晶格、光、介特性。?ZnO薄膜可以在低于500℃温度下得，不可以减少材料在高温制生的和缺陷，同也大大化了制工；同ZnO来源丰富，价格低廉，又具有很高的定性和化学定性。?ZnO在UV、光LED和LDS器件等研究方面被是最有希望取代GaN的首材料。?ZnO以其特殊的性成Si路的充。?无是薄膜ZnO是米ZnO在我国有很好的展。

Zn0的性?Zno基本构构；构；NaCl构；CsCl构?ZnO晶体构随着境条件的改而改。在常温下ZnO的定相是

ZN0的性宽禁带半导体参数比较材料禁度（eV）ZnoGaN4H-SiC6H-SiC3.373.393.263.03晶格型晶格常数（A）a=3.250c=56a=3.189c=53a=3.073c=10.0532070a=3.018c=15.1172070熔点（K）率（Wcm-6CET(10-6K-1）3.0~3.83.5~5.03.0~3.83.5~5.0K-1)a=6.5c=3.0196a=5.6c=7.710003.5子迁移率（cm和速度（cms-1截止Vcm-12V-1s-1）8002.02.23702.02.4）3.0）5.05.0

?由于其禁度、晶格常数和GaN非常相近，所以ZnO和GaN可以互来生出高量的GaN或ZnO薄膜。?同ZnO室温下的禁3.37eV，与GaN(3.4eV)相近而他的激子束大于GaN(25meV)等材料，因此在紫光器件方面的用比其它半体更有潜力,生室温短波光的条件更加越。

ZnO的紫外受激射特性与用?ZnO是一种理想的短波光器件材料。能以直接迁的方高效率的射复合。ZnO薄膜具有低的激射主要是由于ZnO很高的激子束能(室温下60meV)可以大大降低低温下的激射，而且在室温下适当的激度，ZnO激子的复合可取代子-空穴的复合，因而可期一个低的生受激射。?ZnO的紫外受激射中主要是紫外光波段、光波段的射。ZnO紫外光射的主要机理是迁和激子复合。?ZnO基光探器。紫外光、光等光器件。光探器是一种把光射信号信号的器件，其工作原理是基于光射与物的相互作用所生的光效。

ZnO的透明体特性与用?ZnO的光学透明性是由禁引起的。ZnO隙，可光和外光吸收很小，基本上是透明的。?ZnO的性主要不是依本征激，而是靠附加能的子或空穴激?具有光学透明特性的禁氧化物半体材料，一般都是体，但ZnO既有高透明性又有性。因此，ZnO材料在制透明薄膜，紫外波段LED和LD以及能量窗口，液晶示，太阳池，气体感器，超声振器和器等光子器件有不的用前景。

ZnO薄膜的其它性与用?气敏特性?敏特性?P—n特性?特性?器件?太阳能池?气敏元件?敏元件?声表面波器件(SAW)

米氧化的性和用途?米氧化的主要性?表面效?表面效是指米粒子表面原子与原子数之比随粒径的小而急增大后所引起的性上的化。种化使其表面与内部的晶格振了著化，致米材料具有多奇特的性能。?体效?当米粒子的尺寸与子的德布意波相当或更小，周期性的界条件将被破坏，磁性、内、光吸收、阻、化学活性